一种梳状源极叠层结构有机场效应管

摘要

本发明提出了一种具有梳状源极层叠结构有机场效应管。通过控制有机半导体层的薄膜厚度来控制沟道长度，从而达到缩小沟道长度，减小器件尺寸的目的。即根据不同的器件结构(如顶栅底接触型、底栅底接触型等)，先后在衬底(硅或其他柔性衬底)上制备梳状源极薄膜、有机半导体沟道薄膜，以及条状漏极薄膜，其主要特点在于源极、有机导电沟道、漏极三者为层叠结构。通过精确控制有机层的厚度来控制沟道长度，栅极电压透过源极空隙对沟道中载流子的运动进行控制，从而达到制备高性能薄膜场效应晶体管的目的。

主权项

一种梳状源极层叠结构有机场效应管，其特征在于栅极、栅介质、源极、沟道呈层叠结构，通过精确控制有机层的厚度来控制沟道长度，栅极电压透过源极空隙对沟道中载流子的运动进行控制，制备高性能薄膜场效应管。