| 发明名称 | 双向三态缓冲器 | ||
| 摘要 | 双向三态缓冲器，涉及电子技术，特别涉及集成电路技术。本发明由MOS管(41～44)、存储单元(M1)、存储单元(M2)和一个缓冲单元(S)构成，A点接MOS管(43)的输入端和MOS管(42)的输出端，B点接MOS管(41)的输入端和MOS管(44)的输出端，MOS管(43)的输出端、MOS管(41)的输出端和缓冲单元(S)的输入端接C点，D点接缓冲单元(S)的输出端和MOS管(42)、MOS管(44)的输入端；存储单元(M1)与MOS管(41)、(42)、(43)的栅极连接，存储单元(M2)与MOS管(44)的栅极连接。较现有技术，本发明结构简洁，占用的空间更小，更能够满足高度集成化的要求。 | ||
| 申请公布号 | CN101877584A | 申请公布日期 | 2010.11.03 |
| 申请号 | CN201010208425.3 | 申请日期 | 2010.06.24 |
| 申请人 | 成都华微电子科技有限公司 | 发明人 | 赵剑峰;鞠瑜华 |
| 分类号 | H03K19/177(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/177(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人 | 刘勋 |
| 主权项 | 双向三态缓冲器，其特征在于，由MOS管(41～44)、存储单元(M1)、存储单元(M2)和一个缓冲单元(S)构成，A点接MOS管(43)的输入端和MOS管(42)的输出端，B点接MOS管(41)的输入端和MOS管(44)的输出端，MOS管(43)的输出端、MOS管(41)的输出端和缓冲单元(S)的输入端接C点，D点接缓冲单元(S)的输出端和MOS管(42)、MOS管(44)的输入端；存储单元(M1)与MOS管(41)、(42)、(43)的栅极连接，存储单元(M2)与MOS管(44)的栅极连接。 | ||
| 地址 | 610041 四川省成都市高新区高朋大道11号高新区科技工业园D座 | ||