集成电路的制造方法

摘要

本发明提供一种集成电路的制造方法，该方法包括一电子束检测。上述方法包括形成一硅化物区域于一半导体基底上。于一实施例中，形成硅化物以提供接触至一元件构造例如一源极或漏极区域。接着实施一电子束扫描于该半导体基底，该电子束扫描包括一第一扫描和一第二扫描，该第一扫描比该第二扫描具有较低的着陆能量。于一实施例中，该第一扫描提供一暗硅化物图像分析以及一明硅化物图像分析。于一实施例中，该第二扫描提供一暗硅化物图像分析。在实施该电子束扫描后，继续该方法以形成一导电栓耦接该硅化物区域。本发明提供具有线上检测的集成电路的制造方法，而无需终止工艺或将试样物理性破坏。

主权项

一种集成电路的制造方法，包括：形成一硅化物区域于一半导体基底上；实施一电子束扫描于该半导体基底，其中该电子束扫描包括一第一扫描和一第二扫描，其中该第一扫描比该第二扫描具有较低的着陆能量；以及在实施该电子束扫描后，形成一导电栓耦接该硅化物区域。