对可见光响应的含钨半导体光催化材料的制备方法

摘要

本发明涉及对可见光响应的含钨半导体光催化材料的制备方法。对可见光响应的含钨半导体光催化材料的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)原料的选取：按含M的化合物、含Fe的化合物、含Ba的化合物、含W的化合物中的M、Fe、Ba、W的摩尔比＝1∶1∶1∶1的比例，选取备用；2)将含M的化合物、含Fe的化合物、含Ba的化合物和含W的化合物混合均匀，放入坩埚中研磨成粉末，然后放入马弗炉中缓慢升温到500℃并恒温预烧1～24小时，冷却后取出；然后再次研磨，再在马弗炉中升温到900～1200℃恒温1～48小时，冷却后研磨，得对可见光响应的含钨半导体光催化材料。本发明成本低廉、在可见光照射下有很好的吸收，该方法简单易行。

主权项

对可见光响应的含钨半导体光催化材料的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)原料的选取：按含M的化合物、含Fe的化合物、含Ba的化合物、含W的化合物中的M、Fe、Ba、W的摩尔比＝1∶1∶1∶1的比例，选取含M的化合物、含Fe的化合物、含Ba的化合物、含W的化合物，备用；所述的含M的化合物为K2CO3、K2SO4、氯化锂、碳酸钠、卤化铷、碳酸铷、含M的硝酸盐或含M的乙酸盐，其中M为Li、Na、K、Rb或Cs；所述的含Fe的化合物为FeCl3·6H2O、氧化铁、含Fe的氢氧化物、含Fe的碳酸盐或含Fe的硝酸盐；所述的含Ba的化合物为BaCO3、BaCl2、氢氧化钡或含Ba的硝酸盐；所述的含W的化合物为WO3；2)将含M的化合物、含Fe的化合物、含Ba的化合物和含W的化合物放入研钵中混合并研磨成微米级别粉末，装入坩埚中，然后放入马弗炉中缓慢升温到500℃并恒温预烧1～24小时，升温速率为1～50℃/分钟，冷却后取出；然后再次研磨，粉末粒径控制在微米级别，将磨细后的粉末放入马弗炉中，再在马弗炉中升温到900～1200℃恒温1～48小时，升温速率为1～50℃/分钟，自然冷却至室温后取出研磨，得到对可见光响应的含钨半导体光催化材料。