发明名称 具有沉淀防止部分的大面积基底蚀刻设备及防沉淀方法
摘要 本发明提供一种具有被构造成沉淀防止部分的大面积基底蚀刻设备以及一种防沉淀方法。该大面积基底蚀刻设备包括:蚀刻室,具有设置在一侧的入口部分,穿过入口部分输送基底,并在蚀刻室中蚀刻基底;沉淀防止部分,设置在入口部分处,并防止在蚀刻室中产生的烟雾在入口部分的内表面上沉积、干燥而产生沉淀。因此,能够防止因沉淀导致的基底损坏,并且能够平稳地执行制造工艺,从而提高了产率并降低了制造成本。
申请公布号 CN101369521B 申请公布日期 2010.11.03
申请号 CN200810146151.2 申请日期 2008.08.12
申请人 K.C.科技股份有限公司 发明人 崔泰均
分类号 H01L21/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人 郭鸿禧;刘奕晴
主权项 一种大面积基底蚀刻设备,包括:蚀刻室,具有设置在一侧的入口部分,穿过入口部分输送基底,并在蚀刻室中蚀刻所述基底;沉淀防止部分,设置在入口部分处,并被构造成防止在蚀刻室中产生的烟雾在入口部分的内表面上沉积、干燥而产生沉淀,其中,沉淀防止部分包括:进口部分,通过进口部分引入常温的超纯水;蒸发部分,引入到进口部分中的超纯水在蒸发部分中停留并蒸发。
地址 韩国京畿道安城市