| 发明名称 | 密集阵列和电荷存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种单体三维阵列的电荷存储器件，其包括多个器件层面，其中两个连续器件层面之间至少一个表面用化学机械抛光整平。 | ||
| 申请公布号 | CN101179079B | 申请公布日期 | 2010.11.03 |
| 申请号 | CN200710181784.2 | 申请日期 | 2001.08.13 |
| 申请人 | 矩阵半导体公司 | 发明人 | T·H·李;V·苏布拉马尼安;J·M·克莱维斯;A·J·瓦尔克;C·佩蒂;I·G·库兹尼特佐夫;M·G·约翰森;P·M·法姆瓦尔德;B·赫尔纳 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 卢江;王小衡 |
| 主权项 | 存储器件，包括：第一输入/输出导体，其在衬底第一平面上或其上方形成；第二输入/输出导体；半导体区，其位于第一输入/输出导体与第二输入/输出导体之间导体凸出部的交叉处；电荷存储介质，该电荷存储介质邻接半导体区，或者该电荷存储介质在半导体区之上或者之下；及其中存储在电荷存储介质中的电荷影响在第一输入/输出导体与第二输入/输出导体间流动的电流量。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||