一种叠层硅薄膜太阳电池的制造工艺

摘要

一种叠层硅薄膜太阳电池的制造工艺，属于半导体领域。该工艺借助单腔室或多腔室PECVD系统，通过调节沉积气体和载气的比例、辉光功率等工艺参数分别制作p1、i1、n1、p2、i2、n2层。该工艺流程简单，易于实现，采用该工艺制作的叠层硅薄膜太阳电池，转化效率高、光致衰退效应低，具有高开路电压和较高的填充因子。

主权项

一种叠层硅薄膜太阳电池的制造工艺，采用平板容式等离子体增强化学气相沉积系统，将透明导电玻璃衬底送入密封的沉积室，包括以下步骤：a)沉积顶电池正极p1(11)层，首先通入SiH4、CH4、B2H6、H2沉积，然后关闭SiH4、CH4、B2H6进气辉光，再打开SiH4进行沉积;b)沉积顶电池本征层i1(12)层，通入SiH4、H2沉积;c)沉积顶电池负极n1(13)层，分两步完成，第一步通入SiH4、PH3、H2，先在SiH4与H2的体积比大于10％的状态下沉积，然后关闭SiH4和PH3进行辉光，第二步再调节使系统在SiH4与H2的体积比小于7％的状态下沉积;d)通入SiH4、B2H6、H2，沉积底电池正极p2(21)层，在SiH4与H2的浓度比小于7％的状态下沉积;e)通入SiH4、H2，沉积底电池本征层i2(22)层，在SiH4与H2的浓度比小于7％的状态下沉积;f)通入SiH4、PH3、H2，沉积底电池负极n2(23)层。