| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括衬底和接合到衬底的半导体薄膜，其中半导体薄膜包括多个分立工作区和隔离多个分立工作区的元件隔离区，且将元件隔离区蚀刻到比半导体薄膜的厚度更浅的深度，并且是比多个分立工作区更薄的区域。 | ||
| 申请公布号 | CN101359623B | 申请公布日期 | 2010.11.03 |
| 申请号 | CN200810092559.6 | 申请日期 | 2004.09.10 |
| 申请人 | 日本冲信息株式会社 | 发明人 | 铃木贵人;藤原博之 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李湘;王小衡 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在第一衬底上可分离地形成半导体薄膜，其中，所述半导体薄膜具有能够形成多个分立工作区的工作层；将已从所述第一衬底分离的所述半导体薄膜接合在第二衬底上；以及通过将除了接合在所述第二衬底上的所述半导体薄膜的所述多个分立工作区之外的区域进行蚀刻至比所述半导体薄膜的厚度更浅的深度，由此形成元件隔离区，所述元件隔离区相互隔离利用蚀刻形成的多个分立工作区。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||