| 发明名称 | 应变硅电压控制振荡器 | ||
| 摘要 | 一种应变硅电压控制振荡器(VCO)包括具有应变硅层的第一p沟道金属氧化物半导体(PMOS)器件，它与具有应变硅层的第二PMOS器件耦合。 | ||
| 申请公布号 | CN1856936B | 申请公布日期 | 2010.11.03 |
| 申请号 | CN200480027201.5 | 申请日期 | 2004.09.29 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | G·巴纳基;K·苏姆雅纳特 |
| 分类号 | H03L1/00(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H03L1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 一种电压控制振荡器VCO，包括：具有应变硅层的至少第一PMOS器件，所述第一PMOS器件包括第一源极区、第一漏极区、第一栅极区和第一本体；以及其中所述第一本体耦合到第一负偏压源以增加所述至少第一PMOS器件内的埋入沟道传导，从而降低VCO内的闪变噪声。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||