去除晶片的斜面边缘和背部上的膜的装置和方法

摘要

提供了去除基片的斜面边缘附近的蚀刻副产物、介电膜和金属膜，以及基片背部和室内部上的蚀刻副产物的改进的机构，以避免聚合物副产物和沉积膜的聚积，并提高处理成品率。提供了一种示例性的配置为清洁基片的斜面边缘的等离子蚀刻处理室。该室包括围绕该等离子处理室内的基片支撑件的底部边缘电极，其中，该基片支撑件配置为容纳该基片，并且该底部边缘电极和该基片支撑件通过底部介电环而彼此电绝缘。该室还包括围绕相对该基片支撑件的气体分配板的顶部边缘电极，其中，该顶部边缘电极和该气体分配板通过顶部介电环而彼此电绝缘，并且该顶部边缘电极和该底部边缘电极配置为产生清洁等离子以清洁该基片的该斜面边缘。

主权项

一种等离子蚀刻处理室，其配置为清洁基片的斜面边缘，该处理室包括：围绕该等离子处理室内的基片支撑件的底部边缘电极，其中，该基片支撑件配置为容纳该基片；设在该底部边缘电极和该基片支撑件之间的底部介电环，该底部介电环围绕该基片支撑件，该底部介电环将该基片支撑件和该底部边缘电极电绝缘；与该基片支撑件相对的气体分配板，该气体分配板包括至少一个用于提供气体的气体供给物；围绕该气体分配板的顶部介电环；围绕该与该基片支撑件相对的气体分配板的顶部边缘电极，其中该顶部介电环设在该顶部边缘电极和该气体分配板之间，以及该顶部边缘电极和该气体分配板通过该顶部介电环而彼此电绝缘；以及围绕并耦接于该底部边缘电极的底部绝缘环，其中该底部边缘电极设在该底部绝缘环和该底部介电环之间。