宽带光耦合到薄的SOI CMOS集成光路

摘要

一种用于提供光耦合进和耦合出相对薄的硅波导的装置，所述相对薄的硅波导在SOI结构的SOI层中形成，所述装置包括透镜元件和在SOI结构中界定的、用于以高效的方式提供光耦合的参考表面。波导的输入可来自光纤或光发送器件(激光器)。相似的耦合装置可用在薄的硅波导与输出光纤(单模光纤或多模光纤)之间。

主权项

一种用于提供向/来自形成在绝缘体上硅SOI结构的上部硅SOI层中的相对薄的硅波导的光耦合的装置，所述绝缘体上硅SOI结构包括硅衬底、上覆的隐埋氧化物层和所述上部硅SOI层，所述薄的硅波导形成为包括沿通过所述绝缘体上硅SOI结构的厚度的一部分进入到所述硅衬底中形成的深沟槽的纳米锥尖端面终端，所述装置包括：光发送器件，其设置在通过所述上部硅SOI层进入到所述硅衬底里形成的相对浅的沟槽上；透镜组件，其用于将传播的光信号从所述光发送器件耦合进所述薄的硅波导的所述纳米锥尖端面终端；参考面，其界定在所述绝缘体上硅SOI结构的相邻层之间的界面处；以及透镜固定装置，其用于支撑所述透镜组件，所述透镜固定装置沿着所述深沟槽连接到所述绝缘体上硅SOI结构，用于提供在所述薄的硅波导的端面与所述透镜组件之间的聚焦对准，所述透镜固定装置包括尺寸足以跨越所述深沟槽的宽度的参考表面并提供所述透镜组件与所述薄的硅波导的所述纳米锥尖端面终端之间的光对准。