| 发明名称 | 具有高移动性波形沟道的TFT电荷存储存储器单元和其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明描述一种可重写非易失性存储器单元，其中每个单元具有两个位。所述存储器单元优选通过凭借沟道热电子注射方法在介电电荷存储层中或在电隔离的导电na <img file="200680027101.1_ab_0.GIF" wi="18" he="21" /> ocrystals中存储电荷进行操作。在优选实施例中，沟道区具有波形形状，从而在两个存储区之间提供额外隔离。所述沟道区经沉积且优选由多晶锗或硅锗形成。本发明的存储器单元可形成在存储器阵列中；在优选实施例中，在单个衬底上方堆叠形成多个存储器层级。所述存储器单元包含晶体管(50)，其源极(52)和漏极(54)连接到位线(30)。所述沟道区形成在介电结构(32)上方，且由电荷存储电介质(36)和字线(44)覆盖。 | ||
| 申请公布号 | CN101228619B | 申请公布日期 | 2010.11.03 |
| 申请号 | CN200680027101.1 | 申请日期 | 2006.06.01 |
| 申请人 | 桑迪士克3D公司 | 发明人 | 罗伊·E·朔伊尔莱茵 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;G11C16/04(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 刘国伟 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管，其包含：沟道区，其具有一长度，所述沟道区包括形成在介电结构上方的层的一部分；源极区，其在源极/沟道边界处邻接所述沟道区；以及漏极区，其在漏极/沟道边界处邻接所述沟道区；其中所述沟道区的所述长度大于所述源极/沟道边界与所述漏极/沟道边界之间的第一距离，其中所述沟道区形成在衬底上方，且其中所述介电结构将所述源极区和所述漏极区分隔开。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||