半导体器件制作方法

摘要

提出了一种低成本、高可靠性的半导体器件制作方法，其中通过从衬底剥离具有设于衬底上的薄膜晶体管等的元件形成层而制作半导体器件。在衬底上形成金属薄膜，对其进行等离子体处理以在该金属薄膜上形成金属氧化物薄膜，该金属氧化物薄膜上形成元件形成层，形成绝缘薄膜以覆盖该元件形成层，在该绝缘薄膜和元件形成层内形成开口，通过该开口注入腐蚀剂以除去该绝缘薄膜和元件形成层，从该衬底上剥离该元件形成层。可以通过部分地除去该金属薄膜和金属氧化物薄膜并随后采用物理方法而进行该剥离。

主权项

一种半导体器件的制作方法，包括：在衬底上形成金属薄膜；对该金属薄膜执行等离子体处理从而在该金属薄膜上形成金属氧化物薄膜；在所述金属氧化物薄膜上形成第一绝缘薄膜；在第一绝缘薄膜上形成元件形成层；形成第二绝缘薄膜以覆盖该元件形成层；在第二绝缘薄膜、元件形成层和第一绝缘薄膜内形成开口；通过该开口引入腐蚀剂以除去该金属薄膜和金属氧化物薄膜；以及将该元件形成层和该衬底分离。