LDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种LDMOS器件及其制造方法。该LDMOS器件包括形成在第一导电型衬底中的第二导电型埋层。在埋层中形成第一导电型第一阱，且在第一阱上形成两侧具有栅极绝缘层的场绝缘体。在场绝缘体一侧上形成第一导电型第二阱，且在其中形成源极区。在场绝缘体另一侧形成隔离的漏极区。在源极区上的栅极绝缘层上形成栅极，在场绝缘体的一部分上形成第一场极板，并与栅极连接。在场绝缘体的另一部分上形成第二场极板，且与第一场极板相隔离。

主权项

一种横向扩散MOS器件，包括：埋层，其形成在第一导电型衬底中，且掺杂有第二导电型杂质；第一阱，其形成在所述埋层上，并掺杂有第一导电型杂质；场绝缘体，形成在所述第一阱的表面上；栅极绝缘层，形成于所述第一阱在所述场绝缘体两侧的表面上；第二阱，其形成在位于所述场绝缘体一侧的所述第一阱中，并掺杂有所述第一导电型杂质；源极区，形成在所述第二阱的表面中；漏极区，其与所述源极区隔离，且形成于所述第一阱在所述场绝缘体另一侧的表面中；栅极，形成在所述源极区上的所述栅极绝缘层上；第一场极板，其形成在所述场绝缘体的预定部分上，并与所述栅电极连接；以及第二场极板，其形成在所述场绝缘体的另一预定部分上，并与所述第一场极板相隔预定的间隔。