OLED用TFT基板的金属诱导结晶化方法

摘要

本发明属于OLED显示器制造领域，涉及一种OLED用TFT基板的金属诱导结晶化方法。要解决的技术问题是降低金属诱导多晶硅基板的漏电流特性。技术方案是提供一种TFT基板的间接金属诱导结晶化方法，步骤为：a、准备基板，在基板上镀缓冲层；b、在缓冲层上镀a-Si层；c、然后在a-Si层上通过掩模光刻形成所需PR图形；d、在已形成所需PR图形的a-Si层表面镀金属触媒层；e、进行热处理，使a-硅层转变为多晶硅层；f、去除金属触媒层，再次通过掩模光刻形成所需PR图形，蚀刻掉PR图形未遮盖的多晶硅层，然后去除PR图形。本发明方法用于制备AMOLED用TFT基板。

主权项

OLED用TFT基板的间接金属诱导结晶化方法，其特征在于包括以下步骤：a、准备基板(1)，在基板上镀缓冲层(2)；b、在缓冲层(2)上镀a-Si层(3)；c、然后在a-Si层(3)上通过掩模光刻形成所需PR图形(4)；d、在已形成所需PR图形(4)的a-Si层(3)表面镀金属触媒层(5)；e、进行热处理，使a-硅层(3)转变为多晶硅层(6)；f、去除金属触媒层(5)，再次通过掩模光刻形成所需PR图形(4)，蚀刻掉PR图形(4)未遮盖的多晶硅层(6)，然后去除PR图形(4)。