发明名称 |
溅射磁控管装置 |
摘要 |
本发明提供一种溅射磁控管装置,其包括定位基座、导磁体、固定轴和磁体组件,其中:所述的磁体组件包括端部磁体阵列、延目标体轴向平行设置的中间磁体阵列和两侧磁体阵列,所述的导磁体包括中间导磁体和端部导磁体,所述的中间磁体阵列和两侧磁体阵列与导磁体之间设置有可旋转或沿中间导磁体滑动的导磁片,所述的端部磁体阵列设置于端部导磁体上并与中间磁体阵列和两侧磁体阵列形成封闭磁场;该装置通过导磁片来调节两侧磁体阵列与中间磁体阵列相隔的间距以及夹角,可有效改善目标体表面的磁场分布,即能够实现根据溅射工艺需求目标体表面磁场分布的实施方式,并且使得调整磁场分布的过程变得简单有效。 |
申请公布号 |
CN101877300A |
申请公布日期 |
2010.11.03 |
申请号 |
CN200910107049.6 |
申请日期 |
2009.04.30 |
申请人 |
深圳市豪威薄膜技术有限公司 |
发明人 |
许生;徐升东;庄炳河;郭杏元 |
分类号 |
H01J37/34(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/34(2006.01)I |
代理机构 |
广东国晖律师事务所 44266 |
代理人 |
欧阳启明 |
主权项 |
一种溅射磁控管装置,所述的溅射磁控管包括定位基座、导磁体、固定轴和磁体组件,该磁体组件通过磁力设置于导磁体上,该导磁体通过固定轴固定于定位基座上,其特征在于:所述的磁体组件包括端部磁体阵列、延目标体轴向平行设置的中间磁体阵列和两侧磁体阵列,所述的导磁体包括中间导磁体和端部导磁体,所述的中间磁体阵列和两侧磁体阵列与导磁体之间设置有可旋转或沿中间导磁体滑动的导磁片,所述的端部磁体阵列设置于端部导磁体上并与中间磁体阵列和两侧磁体阵列形成封闭磁场。 |
地址 |
518067 广东省深圳市南山区高新区北区朗山2号路豪威大厦 |