提高LDMOS器件的崩溃电压的方法

摘要

本发明公开了一种提高LDMOS器件的崩溃电压的方法，先按照常规的方法在前段制备栅结构的工艺中，栅结构位于LDMOS器件沟道的区域的上方并延伸至高压漂移注入区的上方，与位于高压漂移注入区的场氧区隔离；在进行后段工艺中，先淀积介质层，后淀积导体层，而后刻蚀介质层和导体层，保留位于高压漂移注入区上方的介质层和导体层以形成悬浮的栅极导电等势体，其一端位于高压漂移注入区内的场氧区上，另一端位于栅结构上方及沟道区域的一侧至高压漂移注入区内的场氧区鸟嘴部分的一侧之间。本发明的方法可集成在后段PIP、MIP或RPOLY工艺中，也可集成在金属连线工艺中。本发明的方法明显提高了所制备的LDMOS器件的崩溃电压。

主权项

一种提高LDMOS器件的崩溃电压的方法，其特征在于：按照常规的方法在前段制备所述LDMOS器件的栅结构的工艺中，形成的栅结构位于所述LDMOS器件预定形成沟道的区域的上方并延伸至高压漂移注入区的上方，所述栅结构与位于所述高压漂移注入区的场氧区相隔离；在后段工艺过程中，先在已经完成前面工艺的整个衬底上淀积介质层，接着在所述介质层上淀积导体层，而后刻蚀所述介质层和所述导体层，按照器件设计要求保留位于所述高压漂移注入区上方的所述介质层和所述导体层以在刻蚀后形成悬浮的栅极导电等势体，所述栅极导电等势体的一端位于所述高压漂移注入区内的场氧区上，所述栅极导电等势体的另一端位于所述栅结构上方及所述沟道区域的一侧至所述高压漂移注入区内的场氧区鸟嘴部分的一侧之间。