| 发明名称 | 具有场稳定膜的半导体器件和方法 | ||
| 摘要 | 在一个实施方案中，用第一介质层和包含形成在第一介质层上的可流动的玻璃的电荷稳定层，制作了高压半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1855529B | 申请公布日期 | 2010.11.03 |
| 申请号 | CN200610073210.9 | 申请日期 | 2006.04.05 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | 杜尚晖;石黑武;藏前文香;近江隆二 |
| 分类号 | H01L29/00(2006.01)I;H01L29/772(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 一种高压半导体器件，包括：包括第一导电类型的半导体材料本体；形成在半导体材料本体中的第一掺杂区，其中，第一掺杂区包括第二导电类型，且其中，第一掺杂区与半导体材料本体形成高压结；形成在半导体材料本体上的第一介质层；以及形成在第一介质层上的电荷稳定层，其中，电荷稳定层包括折射率小于1.4的旋涂玻璃材料。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||