利用选择外延构造NPN晶体管的方法

摘要

本发明公开了一种利用选择外延构造NPN晶体管的方法，去除半导体衬底上的氧化层表面的光刻胶后，选择N型外延生长在窗口内形成一层N-外延层；在所述外延层上依次淀积氧化层、P型多晶硅层、氧化层；通过光刻刻蚀形成位于所述N-外延层上方的有源区；采用湿法刻蚀所述有源区内位于所述多晶硅和N-外延层之间的氧化层，使有源区在N-外延层的上方呈倒“T”形；在所述有源区内的N-外延层和P型多晶硅之间，通过选择性外延生长，形成P型外延层；去除表面氧化层，然后淀积氮化硅层；光刻刻蚀打开发射区域后，淀积N+多晶硅层。本发明能够有效控制双极器件基区宽度，减少寄生电容，提高器件速度。

主权项

一种利用选择外延构造NPN晶体管的方法，包括如下步骤：在半导体衬底上进行埋层注入和扩散；去除所述埋层形成时产生的氧化层，然后淀积生长一层氧化层；在所述氧化层上涂光刻胶、曝光、光刻刻蚀形成一窗口；其特征在于：还包括，去除光刻胶，然后选择N型外延生长在所述窗口内形成一层N-外延层；在所述外延层上依次淀积氧化层、P型多晶硅层、氧化层；通过光刻刻蚀形成位于所述N-外延层上方的有源区；再采用湿法刻蚀所述有源区内位于所述多晶硅和N-外延层之间的氧化层，使有源区在N-外延层的上方呈倒“T”形；在所述有源区内的N-外延层和P型多晶硅之间，通过选择性外延生长，形成P型外延层；去除表面氧化层，然后淀积氮化硅层；光刻刻蚀打开发射区域后，淀积N+多晶硅层。