光量子环形激光器及其制造方法

摘要

一种光量子环形(PQR)激光器包括具有多量子阱(MQW)结构和蚀刻的侧面的活性层。在承载基板上放置的反射体上外延生长的p-GaN和n-GaN层之间夹有所述活性层。在活性层的侧面的外侧上形成涂层，上部电极与n-GaN层的上部电连接，和在n-GaN层和上部电极上形成分布布喇格反射体(DBR)。因此，PQR激光器能够振荡适用于低能耗显示设备的节能垂直主导3D多模激光器，防止光散斑现象，并产生调焦3D柔和光。

主权项

一种光量子环形(PQR)激光器，其包含：具有多量子阱(MQW)结构和蚀刻的侧面的活性层；外延生长的p-GaN和n-GaN层，在其间夹有所述活性层；在承载基板上放置的并在其上具有所述p-GaN层的反射体；在所述活性层的侧面的外侧上形成的涂层；与所述n-GaN层的上部电连接的上部电极；和在所述n-GaN层和上部电极上形成的分布布喇格反射体(DBR)。