| 发明名称 | 发光器件 | ||
| 摘要 | 一种发光器件，包括：发光结构，其具有第一导电半导体层、在第一导电半导体层下方设置的有源层、和在有源层下方设置的第二导电半导体层；在发光结构的一部分中形成的沟槽；在沟槽中的电流阻挡层并且设置为阻止电流供给至其中存在沟槽的部分处的有源层并且阻挡在沟槽上方的有源层发光；和在其中存在沟槽的部分上方的第一导电半导体层上的第一电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101877379A | 申请公布日期 | 2010.11.03 |
| 申请号 | CN200910215642.2 | 申请日期 | 2009.12.30 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 黄盛珉 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
| 主权项 | 一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下方设置的有源层、和在所述有源层下方设置的第二导电半导体层；在所述发光结构的一部分中形成的沟槽；在所述沟槽中的电流阻挡层，所述电流阻挡层设置为阻止电流供给至所述沟槽所在的部分处的所述有源层并设置为阻挡在所述沟槽上方的有源层发光；和在所述沟槽所在的部分上方的所述第一导电半导体层上的第一电极。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||