半导体器件、半导体模块和用于冷却半导体器件的方法

摘要

本发明涉及半导体器件、半导体模块和用于冷却半导体器件的方法。具体地，本发明涉及带有具有用于改善冷却的延伸周缘的层的半导体器件和用于冷却半导体器件的方法。提供一种半导体器件，该半导体器件包括具有第一和第二相对的金属化主面的薄片和结合至薄片的第一金属化面上的晶体管。该晶体管包括第一表面，第一表面限定第一区域。该器件还包括结合至晶体管的第一表面上的第一金属层。第一金属层具有限定比晶体管的第一区域大的第二区域的第一表面。该器件还包括结合至第一金属层的第一表面上的陶瓷层。

主权项

一种半导体器件，其包括：薄片，其具有相对的第一金属化面和第二金属化面；晶体管，其结合至所述薄片的第一金属化面上，其中，所述晶体管包括第一表面，并且所述第一表面限定第一区域；第一金属层，其结合至所述晶体管的第一表面上，其中，所述第一金属层具有限定第二区域的第一表面，而所述第二区域比所述晶体管的第一区域大；和陶瓷层，其结合至所述第一金属层的第一表面上，所述第一金属层具有从第一侧延伸的接触区域，所述第一金属层还具有延伸超过所述晶体管和陶瓷层的多个延伸周缘区域，并且所述多个延伸周缘区域包括从第二侧延伸的第一延伸周缘区域、从第三侧延伸的第二延伸周缘区域和从第四侧延伸的第三延伸周缘区域。