| 发明名称 | 闪存及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种闪存及其制造方法，该闪存包括：形成在衬底中的浅沟槽隔离和有源区，形成在有源区上和/或上方的多个层叠栅，在层叠栅之间的浅沟槽隔离和有源区的下部形成的深注入区，以及在层叠栅之间的有源区的表面形成的浅注入区。 | ||
| 申请公布号 | CN101383354B | 申请公布日期 | 2010.11.03 |
| 申请号 | CN200810215629.2 | 申请日期 | 2008.09.08 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 朴圣根 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人 | 宋子良;吴淑平 |
| 主权项 | 一种闪存，包括：浅沟槽隔离和有源区，形成在衬底中；多个层叠栅，形成在所述有源区上；第一离子注入区，以比所述浅沟槽隔离的深度小的深度形成在所述层叠栅之间的所述有源区处；第二离子注入区，以比所述第一离子注入区的深度大的深度形成在所述层叠栅之间的有源区处；第三离子注入区，以比所述浅沟槽隔离的深度大的深度形成在所述层叠栅之间的所述浅沟槽隔离和所述有源区的下部区域处；以及浅注入区，形成在所述层叠栅之间的所述有源区的表面。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||