发明名称 具有防ESD和EOS的保护电路的半导体集成电路
摘要 本发明涉及一种具有防ESD和EOS的保护电路的半导体集成电路。半导体集成电路具有:内部电路,该内部电路具有被连接至连接端子的输入端子;保护电路,该保护电路向电源线放电被提供给连接端子的过电压。保护电路包括第一放电电路,该第一放电电路被连接至连接端子;第二放电电路,该第二放电电路被连接至连接端子并且向电源线放电过电压;以及过电压检测电路,该过电压检测电路检测流过第二放电电路的放电电流并且当检测到放电电流时生成过电压检测信号。当提供过电压检测信号时,使得第一放电电路不能放电过电压。
申请公布号 CN101877351A 申请公布日期 2010.11.03
申请号 CN201010171356.3 申请日期 2010.04.28
申请人 川崎微电子股份有限公司 发明人 平田元
分类号 H01L27/02(2006.01)I;H02H9/04(2006.01)I;H02H9/02(2006.01)I 主分类号 H01L27/02(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 孙志湧;穆德骏
主权项 一种半导体集成电路,包括:内部电路,所述内部电路具有被连接至连接端子的输入端子;保护电路,所述保护电路向电源线放电被提供给所述连接端子的过电压,所述过电压高于所述内部电路的工作电压,所述保护电路包括:第一放电电路,所述第一放电电路被连接至所述连接端子;第二放电电路,所述第二放电电路被连接至所述连接端子并且向所述电源线放电所述过电压;以及过电压检测电路,所述过电压检测电路检测流过所述第二放电电路的放电电流并且当检测到所述放电电流时生成被提供给所述第一放电电路的过电压检测信号,其中当提供所述过电压检测信号时,使得当没有提供所述过电压检测信号时对所述过电压进行放电的所述第一放电电路不能放电所述过电压。
地址 日本千叶市