| 发明名称 | 基底处理设备 | ||
| 摘要 | 一种基底抛光方法，包括：在抛光单元中抛光基底边缘部分；以及在所述抛光前和/或所述抛光后，在测量单元中测量基底边缘部分，其中，测量单元的传感器机构逐步地以微小的距离向基底的中心移动，以测量基底边缘部分上多点的厚度(An)和从参考点(XO)到基底外圆周表面的距离(Xn)，从而获得基底边缘部分的径向厚度分布。 | ||
| 申请公布号 | CN101877305A | 申请公布日期 | 2010.11.03 |
| 申请号 | CN201010168158.1 | 申请日期 | 2006.04.18 |
| 申请人 | 株式会社荏原制作所 | 发明人 | 高桥圭瑞;白樫充彦;伊藤贤也;井上和之;山口健二;関正也 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 刘兴鹏 |
| 主权项 | 一种基底抛光方法，包括：在抛光单元中抛光基底边缘部分；以及在所述抛光前和/或所述抛光后，在测量单元中测量基底边缘部分，其中，测量单元的传感器机构逐步地以微小的距离向基底的中心移动，以测量基底边缘部分上多点的厚度(An)和从参考点(X0)到基底外圆周表面的距离(Xn)，从而获得基底边缘部分的径向厚度分布。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||