| 发明名称 | 在沟槽底部制作厚氧化层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在沟槽底部制作厚氧化层的方法，所述沟槽在硅片上，所述硅片表面无沟槽的区域覆盖有掩膜层；所述方法包含以下步骤：第1步，在硅片表面生长或淀积一层介质层；第2步，采用各向异性刻蚀工艺反刻去除沟槽底部的介质层，保留沟槽侧壁的介质层；第3步，采用离子注入工艺在沟槽底部注入氧离子；第4步，采用干法刻蚀工艺和/或湿法腐蚀工艺去除沟槽侧壁和硅片表面的介质层；第5步，采用退火工艺对硅片进行退火，在沟槽底部形成厚度的厚氧化层。本发明可以大大减小器件的栅极和漏极的寄生电容，改善器件的开关速度和动态功耗；并且工艺简单，易于集成，可以用于批量生产。 | ||
| 申请公布号 | CN101877314A | 申请公布日期 | 2010.11.03 |
| 申请号 | CN200910057152.4 | 申请日期 | 2009.04.29 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 彭虎;谢烜;杨欣 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 周赤 |
| 主权项 | 1.一种在沟槽底部制作厚氧化层的方法，所述沟槽在硅片上，所述硅片表面无沟槽的区域覆盖有掩膜层；其特征是，所述方法包含以下步骤：第1步，在硅片表面生长或淀积一层介质层；第2步，采用各向异性刻蚀工艺反刻去除沟槽底部的介质层，保留沟槽侧壁的介质层；第3步，采用离子注入工艺在沟槽底部注入氧离子；第4步，采用干法刻蚀工艺和/或湿法腐蚀工艺去除沟槽侧壁介质层和硅片表面的掩模层；第5步，采用退火工艺对硅片进行退火，在沟槽底部形成1500～6000<img file="F2009100571524C0000011.GIF" wi="39" he="53" />厚度的厚氧化层。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||