| 发明名称 | 用于堆叠的管芯嵌入式芯片堆积的系统和方法 | ||
| 摘要 | 本发明名称为“用于堆叠的管芯嵌入式芯片堆积的系统和方法”。一种嵌入式芯片封装(ECP)包括沿垂直方向结合在一起以形成层压堆叠的多个重分布层，每个重分布层具有其中形成的通路。嵌入式芯片封装还包括嵌入在层压堆叠中的第一芯片和附连到层压堆叠并相对于第一芯片沿垂直方向堆叠的第二芯片，每个芯片具有多个芯片焊盘。嵌入式芯片封装还包括：置于层压堆叠的最外面的重分布层上的输入/输出(I/O)系统(86)；以及电耦合到I/O系统以将第一芯片和第二芯片电连接到I/O系统的多个金属互连。所述多个金属互连的每个延伸穿过相应的通路以与相邻重分布层上的金属互连、或第一芯片或第二芯片上的芯片焊盘形成直接金属连接。 | ||
| 申请公布号 | CN101877348A | 申请公布日期 | 2010.11.03 |
| 申请号 | CN201010139544.8 | 申请日期 | 2010.03.08 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | P·A·麦康奈利;K·M·迪罗歇;D·P·坎宁安 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 柯广华;王丹昕 |
| 主权项 | 一种嵌入式芯片封装(10)，包括：多个重分布层(14)，沿垂直方向结合在一起以形成层压堆叠，其中每个重分布层(14)包括在其中形成的多个通路(28)；第一芯片(26)，嵌入在所述层压堆叠中并包括多个芯片焊盘(30)；第二芯片(62)，附连到所述层压堆叠并相对于所述第一芯片(26)沿垂直方向堆叠，所述第二芯片(62)包括多个芯片焊盘(30)；输入/输出(I/O)系统(86)，置于所述层压堆叠的最外面的重分布层(82)上；以及多个金属互连(34)，电耦合到所述I/O系统(86)并配置成将所述第一芯片和所述第二芯片电连接到所述I/O系统(86)，其中所述多个金属互连(34)的每个延伸穿过相应的通路(28)以与相邻的重分布层(14)上的金属互连(34)和所述第一芯片(26)或第二芯片(62)上的芯片焊盘(30)这两者之一形成直接金属连接。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||