| 发明名称 | 光掩模坯料及光掩模 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种光掩模坯料及光掩模，其是形成在透明基板上设置了具有对曝光光透明的区域和实效上不透明的区域的掩模图案的光掩模的原材料，是在透明基板上，经过或不经过其它的膜(A)形成1层或2层以上的遮光膜，构成上述遮光膜的层的至少1层(B)作为主要成分含有硅和过渡金属，而且硅和过渡金属的摩尔比是硅∶金属＝4～15∶1(原子比)的光掩模坯料及使用该光掩模坯料在透明基板上形成具有对曝光光透明的区域和实效上不透明的区域的掩模图案的光掩模。 | ||
| 申请公布号 | CN101052917B | 申请公布日期 | 2010.11.03 |
| 申请号 | CN200580036565.4 | 申请日期 | 2005.09.08 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社 | 发明人 | 吉川博树;稻月判臣;冈崎智;原口崇;岩片政秀;高木干夫;福岛祐一;佐贺匡 |
| 分类号 | G03F1/08(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王健 |
| 主权项 | 一种二元掩模有坯料或相移掩模坯料的形式的光掩模坯料，是形成在透明基板上设置具有对曝光光透明的区域和实效上不透明的区域的掩模图案的光掩模的原材料，其特征在于，在透明基板上，经过或者不经过其它的膜(A)形成1层或2层以上的遮光膜，该遮光膜上层叠了抗反射膜，其中构成上述遮光膜的层的至少1层(B)作为主要成分含有硅和过渡金属，而且硅和过渡金属的摩尔比是硅∶金属＝4～15∶1(原子比)并且其中(i)当光掩模坯料是二元掩模坯料时，遮光膜与抗反射膜合起来具有至少2.5的光密度，并且(ii)当光掩模坯料是相移掩模坯料时，该遮光膜与包含相移膜的其它的膜(A)在透明基板上形成，并且相移膜、遮光膜和抗反射膜合起来具有至少2.5的光密度。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||