| 主权项 |
一种液晶显示器之阵列基板，包括：一基板；一沟槽，位于该基板中；一闸极、一闸极介电层、一半导体层及一掺杂半导体层，位于该沟槽中，其中该半导体层至少包括一通道；及一源极和一汲极，分别电性连接该通道两侧之部分半导体层。如申请专利范围第1项所述之液晶显示器之阵列基板，其中该闸极系位于该沟槽底部，该闸极介电层系位于该闸极上，该半导体层系位于该闸极介电层上，且该掺杂半导体层系位于该半导体层上。如申请专利范围第2项所述之液晶显示器之阵列基板，其中该沟槽中之掺杂半导体层包括一开口，设置于该通道上，且将该掺杂半导体层分隔成两部份。如申请专利范围第3项所述之液晶显示器之阵列基板，其中该源极系位于该掺杂半导体层之一部份上，且该汲极系位于该掺杂半导体层之另一部份上。如申请专利范围第3项所述之液晶显示器之阵列基板，更包含一保护层覆盖该源极和该汲极，且填入该开口，电性隔绝该源极和该汲极。如申请专利范围第1项所述之液晶显示器之阵列基板，其中该基板系为一玻璃基板。一种液晶显示器之阵列基板，包括：一基板；一双镶嵌结构沟槽，位于该基板中，其中该双镶嵌结构沟槽包括一第一沟槽及一位于该第一沟槽上之一第二沟槽；一闸极，位于该第一沟槽底部；一闸极介电层，位于该第一沟槽中，且覆盖该闸极；一半导体层，位于该第一沟槽中，且覆盖该闸极介电层，其中该半导体层至少包括一通道；及一源极和一汲极，系位于该第二沟槽中，分别电性连接该通道两侧之部分半导体层。如申请专利范围第7项所述之液晶显示器之阵列基板，其中该第二沟槽之面积较该第一沟槽之面积为大。如申请专利范围第7项所述之液晶显示器之阵列基板，尚包括一介电层大体上位于该半导体层之通道上，隔绝该源极和该汲极。如申请专利范围第9项所述之液晶显示器之阵列基板，尚包括一掺杂半导体层位于该介电层两侧之该第二沟槽中，且设置于该源极/汲极和该半导体层间。如申请专利范围第7项所述之液晶显示器之阵列基板，其中该介电层、该源极、该汲极及该基板之表面大体上共面。如申请专利范围第7项所述之液晶显示器之阵列基板，其中该基板系为一玻璃基板。一种液晶显示器之阵列基板之制造方法，包括：提供一玻璃基板；形成一图案化第一光阻层于该玻璃基板上，以暴露部分该玻璃基板；以该图案化第一光阻层为罩幕蚀刻该玻璃基板，以在该玻璃基板中形成一第一沟槽；依序形成一第一导电层、一闸极介电层、一半导体层及一介电层于该图案化第一光阻层上，且填入该第一沟槽中；移除该图案化第一光阻层，并藉以剥离该图案化第一光阻层上之该第一导电层、该闸极介电层、该半导体层及该介电层，其中该第一沟槽中之第一导电层系为一薄膜电晶体之一闸极；形成一图案化第二光阻层于该第一沟槽两侧外之部分玻璃基板，并覆盖部分该介电层；以该第二光阻层为罩幕，蚀刻露出之该介电层及其两侧之部分玻璃基板，以形成一第二沟槽于该第一沟槽上；依序形成一掺杂半导体层及一第二导电层于该第二沟槽及该图案化第二光阻层上；及移除该图案化第二光阻层，并藉以剥离其上之该掺杂半导体层及该第二导电层。如申请专利范围第13项所述之液晶显示器之阵列基板之制造方法，更包含沉积一保护层，以覆盖该源极、该汲极及该介电层。如申请专利范围第13项所述之薄膜电晶体之制造方法，其中移除该第一光阻层包括以光阻去除剂(stripper)去除该第一光阻层。如申请专利范围第15项所述之液晶显示器之阵列基板之制造方法，其中移除该第一光阻层包括：以丙醇移除光阻；以甲醇移除丙醇；及以去离子水清洗基板。 |
