制造流体射出器的孔口之方法

主权项

一种用于在一层光阻的表面中形成凹陷之方法，该方法包含下列步骤：以一第一剂量的辐射能来曝光该层光阻之一第一部份；以一第二剂量的辐射能来曝光该层光阻之一第二部份，该第二剂量大于该第一剂量；以及以一经升高的温度烘烤该层；该等剂量的辐射能和该经升高温度系依据光阻材料来选择，使得该烘烤该层之步骤引起该层表面中形成凹陷。如申请专利范围第1项之方法，其中烘烤该层之步骤系发生于以该第二剂量的辐射能来曝光该层的第二部份之后。如申请专利范围第1项之方法，其中烘烤该层之步骤系包含：在经由一第一遮罩来曝光该层之后并在经由一第二遮罩来曝光该层之前将该层加以烘烤；及在经由该第二遮罩来曝光该层之后接着将该层加以烘烤。如申请专利范围第1、2或3项之方法，其中：以该第一剂量之辐射来曝光该层光阻之一第一部份的该步骤系包含经由一第一遮罩来曝光该层，该第一遮罩具有对应于该层之该第一部份之一透射部份及对应于该层之该第二部份及一第三部份之一非透射部份，以及经由一第二遮罩来曝光该层，该第二遮罩具有对应于该层之该第一部份及该第二部份之一透射部份及对应于该层之该第三部份之一非透射部份；且其中以第二剂量曝光该层光阻之该第二部份的步骤系包含经由该第二遮罩来曝光该层。如申请专利范围第3项之方法，其中经由该第一遮罩来曝光该层的该步骤系包含以一位于约75至300毫焦耳/平方公分的范围中之剂量来曝光该层。如申请专利范围第3或5项之方法，其中经由该第二遮罩来曝光该层的该步骤系包含以一位于约600至2000毫焦耳/平方公分的范围中之剂量来曝光该层。如申请专利范围第1或2项之方法，其进一步包含让该层之一第三部份未暴露于该辐射能之步骤，其中：使该层之该第一部份暴露于第一剂量之步骤系包含经由具有对应于该层之该第一部份的一透射部份之一遮罩来曝光该层；使该层之该第二部份曝光的步骤系包含经由该遮罩来曝光该层，而该遮罩亦具有对应于该层之该第二部份之一部份透射部份；且其中，该留下该层光阻的第三部份使其未曝露于该辐射能之步骤，系包含经由该遮罩来曝光该层，而该遮罩亦具有对应于该层的第三部份之一非透射部份。如申请专利范围第1、2或3项之方法，其中烘烤该层之步骤系以位于80至120度C范围中之一温度进行。如申请专利范围第1、2或3项之方法，其进一步包含在该层中之凹陷内形成一孔隙。