| 主权项 |
一种操作一磁性记忆体装置的方法，该磁性记忆体装置包含：第一引线(31；201)和第二引线(49；217)；一磁阻式多层结构(37；207；247；255)，其配置于该些引线之间，该多层结构显现一第一高电阻状态以及一第二低电阻状态，该多层结构包括具有一难磁化轴和一易磁化轴的一铁磁层(83；249；257)，且该多层结构可在该第一和该第二状态间转换；以及一磁场源(33；203)，用于可控制地沿着该铁磁层中的该难磁化轴来施加一磁场并与流经该多层结构的电流无关，以助于该多层结构在该第一和该第二状态间的转换，该方法包含：使用该磁场源，沿着该铁磁层中之该难磁化轴开启一磁场，在该铁磁层中之该磁场之大小系该铁磁层的一异向性磁场之大小的0.1至0.2；在开启该磁场后，在2ns内开启通过该磁阻式多层结构的一电流。一种写入至一磁性记忆体装置的方法，该磁性记忆体装置包含：第一引线(31；201)和第二引线(49；217)；一磁阻式多层结构(37；207；247；255)，其配置于该些引线之间，该多层结构显现一第一高电阻状态以及一第二低电阻状态，该多层结构包括具有一难磁化轴和一易磁化轴的一铁磁层(83；249；257)，且该多层结构可在该第一和该第二状态间转换；以及一磁场源(33；203)，用于可控制地沿着该铁磁层中的该难磁化轴来施加一磁场并与流经该多层结构的电流无关，以助于该多层结构在该第一和该第二状态间的转换，该方法包含：使用该磁场源，沿着该铁磁层中的该难磁化轴施加一磁场，在该铁磁层中之该磁场之大小系该铁磁层的一异向性磁场之大小的0.1至0.2；在该第一引线和该第二引线间施加一偏压，以驱动通过该磁阻式多层结构的一电流；移除该磁场；以及移除该偏压，其中，施加该磁场发生于施加该偏压之前2 ns内。如申请专利范围第2项所述之方法，其中施加该磁场发生于施加该偏压之前至少1 ns。如申请专利范围第2或3项所述之方法，其中移除该磁场发生于移除该偏压之前。如申请专利范围第2项所述之方法，其中：移除该磁场发生于施加该磁场后3 ns内；以及移除该偏压发生于施加该磁场后6 ns内。一种记忆体，包含：一磁性记忆体装置，包含：第一引线(31；201)和第二引线(49；217)；以及一磁阻式多层结构(37；207；247；255)，其配置于该些引线之间，该多层结构显现一第一高电阻状态以及一第二低电阻状态，该多层结构包括具有一难磁化轴和一易磁化轴的一铁磁层；以及一磁场源(33；203)，用于可控制地沿着该铁磁层中的该难磁化轴来施加一磁场并与流经该多层结构的电流无关，以助于该多层结构在该第一和该第二状态间的转换；以及用于控制该磁性记忆体装置的电路，其设置以执行如申请专利范围第1项所述之方法。 |
