| 主权项 |
一种偏压电路，包括：一电晶体，具有一控制端、一第一端以及耦接至一接地位准之一第二端；一第一电阻，耦接于上述控制端；一第一电容，耦接于一输入信号以及上述第一电阻之间；一二极体，耦接于上述第一电容与上述第一电阻之连接点以及上述接地位准之间；一第二电容，耦接于上述控制端以及上述接地位准之间；一第二电阻，耦接于上述控制端以及上述接地位准之间；一第三电阻，耦接于上述控制端以及一既定电压之间；一第四电阻，耦接于上述既定电压以及上述第一端之间；以及一第五电阻，耦接于上述第一端以及一偏压信号之间，其中流经上述电晶体的电流系根据上述输入信号的大小而定，并根据流经上述电晶体的电流产生上述偏压信号。如申请专利范围第1项所述之偏压电路，其中上述第一电阻以及上述第二电容形成一低通滤波器。如申请专利范围第1项所述之偏压电路，其中上述二极体以及上述第一电容形成一半波整流器。如申请专利范围第1项所述之偏压电路，其中上述二极体为电晶体所组成。如申请专利范围第1项所述之偏压电路，更包括根据上述第一电阻、上述第四电阻以及上述第二电阻与上述第三电阻之比例以调整上述偏压信号的位准。如申请专利范围第1项所述之偏压电路，其中上述电晶体为金氧半导体电晶体、场效电晶体、双极性接面电晶体以及异质接面双极性电晶体之一者。一种信号放大电路，包括：一放大器，用以根据一输入信号以及一偏压信号而产生一输出信号；一第一电容，耦接于上述输入信号以及上述放大器之间；以及一偏压调整电路，耦接于上述输入信号以及上述放大器之间，包括：一整流电路，用以调整上述输入信号的波形而产生一整流信号；一滤波电路，用以根据上述整流信号产生一直流信号；以及一偏压电路，用以根据上述直流信号产生上述偏压信号至上述放大器。如申请专利范围第7项所述之信号放大电路，其中上述整流电路包括：一第二电容，耦接至上述输入信号以及上述滤波电路之间；以及一二极体，耦接于上述滤波电路以及一接地位准之间。如申请专利范围第8项所述之信号放大电路，其中上述二极体为电晶体所组成。如申请专利范围第7项所述之信号放大电路，其中上述滤波电路包括：一第一电阻，耦接于上述整流电路以及上述偏压电路之间；以及一第三电容，耦接于上述偏压电路以及上述接地位准之间。如申请专利范围第10项所述之信号放大电路，其中上述滤波电路根据上述第一电阻以调整上述偏压信号的位准。如申请专利范围第7项所述之信号放大电路，其中上述偏压电路包括：一第二电阻，耦接于上述滤波电路以及一既定电压之间；一第三电阻，耦接于上述滤波电路以及上述接地位准之间；一第四电阻，耦接于上述既定电压；一电晶体，具有耦接至上述滤波电路之一控制端、耦接至上述第四电阻之一第一端，以及耦接至上述接地位准之一第二端；以及一第五电阻，耦接于上述第四电阻以及上述放大器之间。如申请专利范围第12项所述之信号放大电路，其中上述电晶体为金氧半导体电晶体、场效电晶体、双极性接面电晶体以及异质接面双极性电晶体之一者。如申请专利范围第12项所述之信号放大电路，其中上述偏压电路根据上述第四电阻以调整调整上述偏压信号的位准。如申请专利范围第12项所述之信号放大电路，其中上述偏压电路根据上述第二电阻以及上述第三电阻之比例以调整上述偏压信号的位准。如申请专利范围第7项所述之信号放大电路，其中上述滤波电路为低通滤波器。如申请专利范围第7项所述之信号放大电路，其中上述整流电路根据一参考电压调整上述输入信号，使上述整流信号小于或是等于上述参考电压。一种信号放大电路，包括：一放大器，用以根据一输入信号以及一偏压信号而产生一输出信号；一第一电容，耦接于上述输入信号以及上述放大器之间；一电晶体，具有一控制端、一第一端以及耦接至一接地位准之一第二端；一第一电阻，耦接于上述控制端；一第二电容，耦接于上述输入信号以及上述第一电阻之间；一二极体，耦接于上述第二电容与上述第一电阻之连接点以及上述接地位准之间；一第三电容，耦接于上述控制端以及上述接地位准之间；一第二电阻，耦接于上述控制端以及一既定电压之间；一第三电阻，耦接于上述控制端以及上述接地位准之间；一第四电阻，耦接于上述既定电压以及上述第一端之间；以及一第五电阻，耦接于上述第一端以及上述放大器之间，其中流经上述电晶体的电流系根据上述输入信号的大小而定，并根据流经上述电晶体的电流产生上述偏压信号。如申请专利范围第18项所述之信号放大电路，其中上述第一电阻以及上述第三电容形成一低通滤波器。如申请专利范围第18项所述之信号放大电路，其中上述二极体以及上述第二电容形成一半波整流器。如申请专利范围第18项所述之信号放大电路，其中上述二极体为电晶体所组成。如申请专利范围第18项所述之信号放大电路，更包括根据上述第一电阻、上述第四电阻以及上述第二电阻与上述第三电阻之比例以调整上述偏压信号的位准。如申请专利范围第18项所述之信号放大电路，其中上述电晶体为金氧半导体电晶体、场效电晶体、双极性接面电晶体以及异质接面双极性电晶体之一者。 |
