| 主权项 |
一种制造半导体装置之方法，包含：接合步骤，其藉由固相扩散，将基板之电极端子以及半导体晶片之电极端子，倒装晶片接合在一起；底部填充步骤，其利用热固性树脂组成之底部填充材料充填该基板及该半导体晶片之间的间隙；以及底部填充硬化步骤，其加热该底部填充材料至硬化温度，以硬化该底部填充材料，其中于该底部填充硬化步骤，将该基板及该半导体晶片中具有较低热膨胀系数之构件，加热至一高于该基板及该半导体晶片中另一构件的温度。如申请专利范围第1项之制造半导体装置之方法，其中在该底部填充硬化步骤中，设定该基板及该半导体晶片的个别加热温度，以致于该基板及该半导体晶片膨胀相同的量。如申请专利范围第1项之制造半导体装置之方法，其中该半导体晶片具有较低之热膨胀系数，以及在该底部填充硬化步骤中，藉由将一加热构件放置成与该半导体晶片之形成有该电极端子之表面相对的表面接触或邻近，将该半导体晶片及该底部填充材料加热至硬化该底部填充材料。如申请专利范围第1项之制造半导体装置之方法，其中在接合步骤中，该基板之该电极端子与该半导体晶片之该电极端子系接触放置，以及对该半导体晶片施用超音波振荡，以藉由固相扩散将该等电极端子接合在一起。一种制造半导体装置之方法，包含：底部填充施用步骤，其将由热固性树脂组成之底部填充材料施用在基板上之电极端子的形成表面上；接合步骤，其藉由固相扩散，倒装晶片接合该基板之该电极端子及半导体晶片之电极端子；以及底部填充硬化步骤，其加热该底部填充材料至一硬化温度，以硬化该底部填充材料，其中在该底部填充硬化步骤中，该基板及该半导体晶片中具有较低热膨胀系数的构件系加热至一高于该基板及该半导体晶片中另一构件的温度。如申请专利范围第5项之制造半导体装置之方法，其中在该底部填充硬化步骤中，设定该基板及该半导体晶片的个别加热温度，以致于该基板及该半导体晶片膨胀相同的量。如申请专利范围第5项之制造半导体装置之方法，其中该半导体晶片具有较低之热膨胀系数，以及在该底部填充硬化步骤中，藉由将一加热构件放置成与该半导体晶片之形成有该电极端子之表面相对的表面接触或邻近，将该半导体晶片及该底部填充材料加热至硬化该底部填充材料。如申请专利范围第5项之制造半导体装置之方法，其中在接合步骤中，该基板之该电极端子与该半导体晶片之该电极端子系接触放置，以及对该半导体晶片施用超音波振荡，以藉由固相扩散将该等电极端子接合在一起。一种制造半导体装置之方法，包含：接合步骤，其藉由固相扩散，倒装晶片接合基板之电极端子及半导体晶片之电极端子；底部填充步骤，其利用热固性树脂组成之底部填充材料，充填该基板及该半导体晶片之间的间隙；以及底部填充硬化步骤，其加热该底部填充材料至一硬化温度，以硬化该底部填充材料，其中在该接合步骤中，接合系利用将该基板及该半导体晶片中具有较高热膨胀系数的构件，加热至一较该基板及该半导体晶片中另一构件高之温度来进行。如申请专利范围第9项之制造半导体装置之方法，其中，在该接合步骤中，具有较高热膨胀系数之该构件的加热温度，不大于在该底部填充硬化步骤中该底部填充层的加热温度。如申请专利范围第9项之制造半导体装置之方法，其中在该接合步骤中，该基板之该电极端子及该半导体晶片之该电极端子可接触放置，以及对该半导体晶片施用超音波振荡，以藉由固相扩散接合该等电极端子。 |
