被覆膜形成用组成物，图型形成方法，被覆膜及其去除方法

主权项

一种被覆膜形成用组成物，其系藉由微影在基板上形成图型时，涂布于形成低介电率材料膜之基板上，藉由烘烤形成被覆膜，该被覆膜系在图型形成后，溶解除去的被覆膜形成用组成物，其特征在于含有(A)下述通式(1)及(2)X-Y-SiZ3(1)(但是式中Z表示烷氧基、乙醯氧基、胺基、烷基胺基、卤素基等之水解性基，X表示可被酸或热分解之官能基所取代或未被取代之羟基、取代或未取代之环氧基、取代或未取代之醯氧基、取代或未取代之丙醯氧基等之有机交联性官能基、或藉改质成为有机交联性官能基的官能基，Y表示单键、或取代或未取代之在构造中亦可具有醚键、酯键或饱和环状构造之2价(但是与构成环氧基之2个碳的两者结合时为3价)之烃基；但是X为羟基时，Y不为单键)；RnSiZ4-n(2)(但是式中Z表示水解性基，亦可与上述式(1)中之Z相同或相异；R表示氢原子、或取代或未取代之在与其他之有机基之间不产生交联反应的1价烃基；n为0~3的整数)所示之水解性矽烷的共水解缩合物、或改质该共水解缩合物之树脂，可以上述式(1)之有机交联性官能基进行交联反应且重量平均分子量为500以上之有机官能性矽酮树脂：100质量份(B)交联剂：0~20质量份(C)酸产生剂：0.001~5质量份(D)有机溶剂：100~10000质量份所成。如申请专利范围第1项之组成物，其中(B)成分之交联剂相对于(A)成分100质量份含有1质量份以上20质量份以下，藉由与上述式(1)之有机交联性官能基在酸触媒存在下反应，显示对(A)成分之硬化性。如申请专利范围第1项之组成物，其中(A)成分之单一或复数种的有机交联性矽酮树脂之有机交联性官能基，在酸触媒存在下藉相同或相异之矽酮树脂间的交联反应显示硬化性。如申请专利范围第1~3项中任一项之组成物，其中(A)成分系藉由使在(A)成分之矽酮树脂1g中源自通式(1)之单元成为0.5~7mmol，调整以通式(1)所示之矽烷类与以通式(2)所示之矽烷类的量之共水解缩合，所得到之矽酮树脂。如申请专利范围第1项之组成物，其中(A)成分系在以通式(1)及通式(2)所示之矽烷类的共水解缩合物中，含有此等矽烷类双方之芳香族基的单元之合计相对于全体的单元为10mol%以下。如申请专利范围第1项之组成物，其中(A)成分为不含芳香族基之矽酮树脂。如申请专利范围第1项之被覆膜形成用组成物，其中式(1)之X-Y-Si构造为选自下述构造者，@sIMGTIF!d10001.TIF@eIMG!一种图型形成方法，其系藉微影蚀刻于基板上形成图型之方法，其特征为包含如下步骤所构成者：于形成低介电率材料膜之基板上涂布申请专利范围第1至6项中任一项的被覆膜形成用组成物，进行烘烤形成被覆膜，在该被覆膜上形成抗反射膜，然后涂布光阻膜用组成物，进行预烘烤形成光阻膜，使该光阻膜的图型电路区域曝光后，以显像液进行显像，于该光阻膜上形成光阻图型，以该光阻图型作为光罩而蚀刻上述抗反射膜、上述被覆膜、及低介电率材料膜，然后，以剥离液溶解除去被覆膜而于该基板上形成图型。一种图型形成方法，其系藉微影蚀刻于基板上形成图型之方法，其特征为包含如下步骤所构成者：于形成低介电率材料膜之基板上涂布申请专利范围第1至6项中任一项的被覆膜形成用组成物，进行烘烤形成被覆膜，在该被覆膜上形成抗反射膜，然后涂布光阻膜用组成物，预烘烤形成光阻膜，使该光阻膜的图型电路区域曝光后，以显像液进行显像，于该光阻膜上形成光阻图型，以该光阻图型作为光罩而蚀刻上述抗反射膜、上述被覆膜、及低介电率材料膜，进一步进行电浆处理后，以剥离液溶解除去被覆膜，于该基板上形成图型。一种图型形成方法，其系藉微影蚀刻于基板上形成图型之方法，其特征为包含如下步骤所构成者：于形成低介电率材料膜之基板上涂布申请专利范围第1至6项中任一项的被覆膜形成用组成物，进行烘烤形成被覆膜，在该被覆膜上形成抗反射膜，然后涂布光阻膜用组成物，预烘烤形成光阻膜，使该光阻膜的图型电路区域曝光后，以显像液进行显像，于该光阻膜上形成光阻图型，以该光阻图型作为光罩，蚀刻上述抗反射膜、上述被覆膜、及低介电率材料膜，进一步加热分解处理被覆膜中之有机交联后，以剥离液溶解除去被覆膜而于该基板上形成图型。一种图型形成方法，其系藉微影蚀刻于基板上形成图型之方法，其特征为包含如下步骤所构成者：于形成低介电率材料膜之基板上涂布申请专利范围第1至6项中任一项的被覆膜形成用组成物，进行烘烤形成被覆膜，在该被覆膜上形成抗反射膜，然后涂布光阻膜用组成物，预烘烤而形成光阻膜，使该光阻膜的图型电路区域曝光后，以显像液进行显像而于该光阻膜上形成光阻图型，以该光阻图型作为光罩，蚀刻上述抗反射膜、上述被覆膜、及低介电率材料膜，进一步电浆处理后进行加热处理或加热处理后进行电浆处理之后，以剥离液溶解除去被覆膜，于该基板上形成图型。一种被覆膜，其特征系于基板上涂布申请专利范围第1至6项中任一项之被覆膜形成用组成物，再烘烤所得到者。一种被覆膜之去除方法，其特征在于：以酸性或硷性之剥离液处理申请专利范围第12项之被覆膜，俾以相对于下层之低介电率膜为高的选择率进行溶解。