| 主权项 |
一种半导体封装体之制造方法，该方法系具有下列步骤：将半导体晶圆之下表面设置于第一支持体之步骤；将前述半导体晶圆薄膜化之步骤；除去前述经薄膜化之半导体晶圆的一部分藉以形成穿孔之步骤；将前述形成有穿孔之半导体晶圆自前述第一支持体剥离之步骤；于前述自第一支持体剥离之半导体晶圆之表面上形成绝缘层之步骤；于前述形成有绝缘层之半导体晶圆之下表面侧形成导电层之步骤；以及藉由电镀而于前述穿孔内部形成导电体之步骤。如申请专利范围第1项之半导体封装体之制造方法，更包含移除前述导电层的步骤。如申请专利范围第2项之半导体封装体之制造方法，其中移除前述导电层的步骤，系不移除而留下前述导电体下部之导电层。如申请专利范围第1项之半导体封装体之制造方法，其中该导电层系由金属板、金属箔或导电性带所构成。如申请专利范围第2项之半导体封装体之制造方法，其中该导电层系由金属板、金属箔或导电性带所构成。一种半导体封装体之制造方法，该方法系具有下列步骤：将半导体晶圆之下表面设置于第一支持体之步骤；将前述半导体晶圆薄膜化之步骤；除去前述经薄膜化之半导体晶圆的一部分藉以形成穿孔之步骤；将前述形成有穿孔之半导体晶圆自前述第一支持体剥离之步骤；于前述自第一支持体剥离之半导体晶圆之表面上形成绝缘层之步骤；将前述形成有绝缘层之半导体晶圆设置于第二支持元件之步骤；于前述绝缘层之露出面上形成导电层之步骤；以及藉由电镀而于前述穿孔内部形成导电体之步骤。如申请专利范围第1至6项中任一项之半导体封装体之制造方法，其中于前述半导体晶圆形成穿孔之步骤系使用蚀刻法。如申请专利范围第1至6项中任一项之半导体封装体之制造方法，其中于前述半导体晶圆之表面上形成绝缘层之步骤系使用电沉积法。如申请专利范围第7项之半导体封装体之制造方法，其中于前述半导体晶圆之表面上形成绝缘层之步骤系使用电沉积法。如申请专利范围第1至6项中任一项之半导体封装体之制造方法，其中于前述半导体晶圆之表面上形成绝缘层之步骤，系于前述半导体晶圆之表面上形成无机系绝缘层，再于前述无机系绝缘层之表面上形成有机系绝缘层。如申请专利范围第7项之半导体封装体之制造方法，其中于前述半导体晶圆之表面上形成绝缘层之步骤，系于前述半导体晶圆之表面上形成无机系绝缘层，再于前述无机系绝缘层之表面上形成有机系绝缘层。如申请专利范围第8项之半导体封装体之制造方法，其中于前述半导体晶圆之表面上形成绝缘层之步骤，系于前述半导体晶圆之表面上形成无机系绝缘层，再于前述无机系绝缘层之表面上形成有机系绝缘层。如申请专利范围第9项之半导体封装体之制造方法，其中于前述半导体晶圆之表面上形成绝缘层之步骤，系于前述半导体晶圆之表面上形成无机系绝缘层，再于前述无机系绝缘层之表面上形成有机系绝缘层。如申请专利范围第1至6项中任一项之半导体封装体之制造方法，其中在于前述半导体晶圆上形成绝缘层之步骤后，于前述绝缘层之表面上形成障蔽层。如申请专利范围第7项之半导体封装体之制造方法，其中在于前述半导体晶圆上形成绝缘层之步骤后，于前述绝缘层之表面上形成障蔽层。如申请专利范围第8项之半导体封装体之制造方法，其中在于前述半导体晶圆上形成绝缘层之步骤后，于前述绝缘层之表面上形成障蔽层。如申请专利范围第9项之半导体封装体之制造方法，其中在于前述半导体晶圆上形成绝缘层之步骤后，于前述绝缘层之表面上形成障蔽层。如申请专利范围第10项之半导体封装体之制造方法，其中在于前述半导体晶圆上形成绝缘层之步骤后，于前述绝缘层之表面上形成障蔽层。如申请专利范围第11项之半导体封装体之制造方法，其中在于前述半导体晶圆上形成绝缘层之步骤后，于前述绝缘层之表面上形成障蔽层。如申请专利范围第12项之半导体封装体之制造方法，其中在于前述半导体晶圆上形成绝缘层之步骤后，于前述绝缘层之表面上形成障蔽层。如申请专利范围第13项之半导体封装体之制造方法，其中在于前述半导体晶圆上形成绝缘层之步骤后，于前述绝缘层之表面上形成障蔽层。 |
