发明名称 半导体用接着膜片
摘要
申请公布号 TWI332521 申请公布日期 2010.11.01
申请号 TW092115192 申请日期 2001.03.30
申请人 日立化成工业股份有限公司 发明人 富山健男;稻田祯一;安田雅昭;畠山惠一;长谷川雄二;西山雅也;松崎隆行;宇留野道生;铃木雅雄;岩仓哲郎;岛田靖;田中裕子;栗谷弘之;住谷圭二
分类号 C09J163/00 主分类号 C09J163/00
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项 一种半导体用接着膜片,系用于连接半导体晶片与装载半导体用基板或半导体晶片互相之间之用途的半导体用接着膜片,该半导体用接着膜片之特征为:包含(a)环氧树脂、(b)硬化剂(含溴者除外)、以及(c)重量平均分子量为10万以上之高分子量化合物,其中,(a)环氧树脂系依环球式所测定的软化点为50℃以上之固形环氧树脂,(b)硬化剂系羟基当量为150g/eg以上之酚系树脂,(c)高分子量化合物系与环氧树脂为非相溶性的含有环氧基之丙烯酸共聚物,该含有环氧基之丙烯酸酯共聚物系包含缩水甘油丙烯酸酯或缩水甘油甲基丙烯酸酯反复单位0.5至6.0重量%且其玻璃化温度为-50℃至0℃,而如设(a)环氧树脂与(b)硬化剂之合计重量为A,(c)高分子量化合物之重量为B时,则其比率A/B为1以上10以下;于已硬化阶段时的剖面上,半导体用接着膜片之成分经分离为海相及岛相二相,(c)高分子量化合物将成为海相,(a)环氧树脂与(b)硬化剂将成为岛相,在表面的海相面积比率较离表面5μm位置的海相面积比率为大且如设海相之面积为X,岛相之面积为Y时,则其比率X/Y为0.1至1.0之值。如申请专利范围第1项之半导体用接着膜片,其中半导体用接着膜片,系60℃热处理后之树脂流动量之半衰期(H、时间)、及对(a)环氧树脂与(b)硬化剂与(c)高分子量化合物之合计重量而言,(c)高分子量化合物之重量分率(ψ),能满足H≧140×ψ2之关系者。如申请专利范围第1项之半导体用接着膜片,其中,(a)环氧树脂系具有溴原子的化合物。如申请专利范围第1项之之半导体用接着膜片,其中,(b)硬化剂,系下述一般式(I)所示之酚系树脂,@sIMGTIF!d10003.TIF@eIMG!(式中,R1可相同或不相同各表示氢原子、卤原子(溴原子除外)、碳数1至10之直链或支链烷基、环状烷基、芳烷基、烯基、羟基或芳基,n表示1至3之整数,而m表示0至50之整数)。如申请专利范围第1项至第4项中任一项之半导体用接着膜片,其中,对(a)环氧树脂与(b)硬化剂之合计100重量份系含有(e)硬化促进剂0.1至5重量份。如申请专利范围第1项至第4项中任一项之半导体用接着膜片,其中,另含有(d)无机填充剂,其具有0.005μm至0.1μm之平均粒径,对树脂体积100份含有1至50体积份,且与水的接触角为0度至100度。如申请专利范围第6项之半导体用接着膜片,其中,(d)无机填充剂,系表面经有机物涂层的填充剂。如申请专利范围第1项至第4项中任一项之半导体用接着膜片,其中,240℃时的拉张弹性率为1至10MPa。如申请专利范围第1项之半导体用接着膜片,其中,于已硬化阶段时的剖面上,岛相之外周长S与剖面积V之间系能满足于下述一般式(1)之关系者,式(1)@sIMGTIF!d10005.TIF@eIMG!
地址 日本