发明名称 真空处理装置及光碟之制造方法
摘要
申请公布号 TWI332530 申请公布日期 2010.11.01
申请号 TW094115933 申请日期 2005.05.17
申请人 芝浦机械电子装置股份有限公司 发明人 泷泽洋次;池田治朗
分类号 C23C14/56 主分类号 C23C14/56
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种真空处理装置,其特征在于具备:主腔室,其可排气为真空状态;真空玄关机构,其可保持上述主腔室之真空状态,并将被处理物搬出入于上述主腔室内外;旋转搬送台,其配置于上述主腔室内,形成上述被处理物之搬送路,且配置有搭载被处理物之承受器;复数个成膜室,其于上述主腔室内,沿以上述旋转搬送台之旋转轴为中心的圆周而配置,于上述被处理物多层地沉积膜;以及冷却机构,其分别配置于上述复数个成膜室间以冷却上述被处理物;且上述冷却机构包含冷却室,该冷却室具有导入气体之导入部,且该冷却室包含具有冷却面之冷却体,可与上述主腔室之空间气密地隔离,上述承受器可藉由推升器之推升被按压至上述冷却室之开口壁而成为气密,同时使上述被处理物与上述冷却体之冷却面相对面。如请求项1之真空处理装置,其中将冷却机构配置于上述真空玄关机构与上述成膜室之间。如请求项1之真空处理装置,其中将被搬送之上述被处理物之中心的轨迹设为搬送路时,藉由水平之上述旋转搬送台之旋转之搬送路系描绘一定之圆,且上述真空玄关机构、上述成膜室、以及上述冷却机构系沿该圆并以上述旋转轴为中心而以一定之角度间隔配置。如请求项1之真空处理装置,其中于以上述旋转搬送台之旋转轴为中心之第一圆周上配置上述成膜室,于第二圆周上配置上述冷却机构,上述第二圆周与上述第一圆周的直径相异。如请求项4之真空处理装置,其中于上述搬送旋转台上设有搭载被处理物之承受器,上述承受器可于上述第一圆周与第二圆周间,于上述搬送旋转台上且于半径方向移动。如请求项1之真空处理装置,其中于上述主腔室内,上述一个冷却室所占区域小于上述一个成膜室所占区域。如请求项1之真空处理装置,其中上述各冷却室可分别设定温度。如请求项1之真空处理装置,其中于上述成膜室进形成膜之被处理物为具有合成树脂基板的碟片状被处理物。一种光碟之制造方法,其于被排气之环境内实施复数个溅射步骤,于合成树脂碟片基板上连续地形成溅射沉积膜而获得多层膜,其特征在于:于各个上述各溅射步骤间插入冷却步骤,并于该冷却步骤使用如请求项1所记载之冷却机构,使上述基板之温度维持为最高50℃。
地址 日本