| 主权项 |
一种发光二极体，包括：一多重堆叠材料层，包括一光产生区域及一第一层，该第一层系由该光产生区域所支承，其中，该第一层包括一半导体材料且该第一层包括一表面，由该光产生区域所产生之光线便可经由该第一层之该表面而自该发光二极体发出，该第一层之该表面具有一介电函数，该介电函数系根据一图样而进行空间上的改变，其中至少一部分之该图样由复数个非同心孔洞(con-concentric holes)所构成；以及经该图样之设计下，由该光产生区域所产生、且经由该第一层之该表面而自该发光二极体所发出光线大体上为非同调(incoherent)，且其之光线分布系较光线之拉普拉斯分布较为平行。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中，当经由该光产生区域所产生之光线经由该第一层之该表面而自该发光二极体发出时，由该第一层之该表面所发出至少40%之光线系以正交于该第一层之该表面、且角度至多约30°的方式传送。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中，该发光二极体之该填充因子系至少约为10%。如申请专利范围第3项所述之发光二极体，其中，该发光二极体之该填充因子系至多约为75%。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，更包括一支承构件，该支承构件系用以支承该多重堆叠材料层。如申请专利范围第5项所述之发光二极体，更包括一反射材料层，由该光产生区域所产生、且撞击在具有该反射材料层上之至少约50%之光线系会被该反射材料层之该反射材料所反射，该反射材料层系位于该支承构件与该多重材料堆叠层之间。如申请专利范围第6项所述之发光二极体，其中，该反射材料层系为一热沈材料。如申请专利范围第7项所述之发光二极体，其中，在该热沈材料之设计下，于该发光二极体之使用过程中系使得该热沈材料具有一垂直热梯度。如申请专利范围第6项所述之发光二极体，更包括一热沈材料。如申请专利范围第9项所述之发光二极体，其中，在该热沈材料之设计下，于该发光二极体之使用过程中系使得该热沈材料具有一垂直热梯度。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，更包括一电流散布层，该电流散布层系位于该第一层、该光产生区域之间。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，更包括复数电接触垫，经由该等电接触垫之设计下系可将电流注入于该发光二极体。如申请专利范围第12项所述之发光二极体，其中，经由该等电接触垫之设计下系可将该电流垂直注入于该发光二极体。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中，该发光二极体系由复数有机发光二极体、复数面射型发光二极体、复数高亮度发光二极体及其复数组合件所构成之群组中选出。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中，该图样系具有一理想晶格常数及一调变参数，该调变参数系大于零。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中，该图样系不会延伸进入该光产生区域。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中，该图样系不会延伸超过了该第一层。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中，该图样系延伸超过了该第一层。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，更包括一反射材料层，由该光产生区域所产生、且撞击在具有该反射材料层上之至少约50%之光线系会被该反射材料层之该反射材料所反射，其中，该反射材料层系位于该支承构件与该多重材料堆叠层之间。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中，该图样系为一非周期性图样或一复杂周期性图样。一种晶圆，包括：复数发光二极体，至少一部分之该等发光二极体包括：一多重堆叠材料层，包括一光产生区域及一第一层，该第一层系由该光产生区域所支承，其中，该第一层包括一半导体材料且该第一层包括一表面，由该光产生区域所产生之光线便可经由该第一层之该表面而自该发光二极体发出，该第一层之该表面具有一介电函数，该介电函数系根据一图样而进行空间上的改变，其中至少一部分之该图样由复数个非同心孔洞(con-concentric holes)所构成，以及经该图样之设计下，由该光产生区域所产生、且经由该第一层之该表面而自该发光二极体所发出光线大体上为非同调(incoherent)，且其之光线分布系较光线之拉普拉斯分布较为平行，其中，该晶圆系于每平方公分之晶圆包括了约至少5个该等发光二极体。如申请专利范围第21项所述之晶圆，其中，该晶圆系于每平方公分之晶圆包括了约至少25个该等发光二极体。如申请专利范围第21项所述之晶圆，其中，该晶圆系于每平方公分之晶圆包括了约至少50个该等发光二极体。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中，该第一层之该表面系具有尺寸约小于λ/5之特征，其中，λ系为经由该光产生区域所产生、且可经由该第一层之该表面而自该发光二极体发出之光线的波长。如申请专利范围第21项所述之晶圆，其中，该第一层之该表面系具有尺寸约小于λ/5之特征，其中，λ系为经由该光产生区域所产生、且可经由该第一层之该表面而自该发光二极体发出之光线的波长。 |
