| 主权项 |
一种重叠标记，用以检查由第一与第二曝光步骤所定义的一下晶圆层与用以定义一上晶圆层之微影制程之间的对准度，包括：该下晶圆层的一部分，包括二第一X向条状图形、二第一Y向条状图形、二第二X向条状图形以及二第二Y向条状图形，其中该二第一X向与该二第一Y向条状图形是由该第一曝光步骤所定义的，且定义出一第一矩形，并且该二第二X向与该二第二Y向条状图形是由该第二曝光步骤所定义的，且定义出一第二矩形，其X向尺寸D2X大于该第一矩形的X向尺寸D1X，但Y向尺寸D2Y小于该第一矩形的Y向尺寸D1Y；以及一光阻图案，位于该部分之该下晶圆层的上方而被该些条状图形所围绕，且是由该微影制程所形成的，其中当该下晶圆层与该微影制程完全对准时，该二第一X向条状图形之中线与该二第一Y向条状图形之中线的交点、该二第二X向条状图形之中线与该二第二Y向条状图形之中线的交点，以及该光阻图案之中心点三者重合。如申请专利范围第1项所述之重叠标记，其中D1X、D1Y、D2X、D2Y之间的关系为D1X=D2Y<D2X=D1Y。如申请专利范围第1项所述之重叠标记，其中各第一X向条状图形的宽度与各第二X向条状图形不同，且各第一Y向条状图形的宽度与各第二Y向条状图形不同。如申请专利范围第1项所述之重叠标记，其中该二第一X向与该二第一Y向条状图形两两相连，且该二第二X向与该二第二Y向条状图形两两相连。如申请专利范围第1项所述之重叠标记，其中该二第一X向与该二第一Y向条状图形互不相连，且该二第二X向与该二第二Y向条状图形互不相连。如申请专利范围第1项所述之重叠标记，其中该光阻图案包括一实心矩形光阻图形，或是包括定义出一第三矩形的二X向条状光阻图形及二Y向条状光阻图形。如申请专利范围第1项所述之重叠标记，其中该些条状图形皆线图形，或是形成在该部分下晶圆层中的沟渠。如申请专利范围第1项所述之重叠标记，其中该第一曝光步骤与该第二曝光步骤属于同一道微影制程，而组成一双重曝光制程。如申请专利范围第1项所述之重叠标记，其中该第一曝光步骤与该第二曝光步骤分别属于两道微影制程，而定义不同的光阻层。如申请专利范围第1项所述之重叠标记，其中该第一曝光步骤与该第二曝光步骤二者中有一者使用X-偶极偏轴光源，另一者使用Y-偶极偏轴光源。如申请专利范围第1项所述之重叠标记，其中该第一及该第二曝光步骤共同用以在该下晶圆层中定义出间距(pitch)小于该二曝光步骤各自之解析度的多个图形。如申请专利范围第11项所述之重叠标记，其中该些图形包括多条线图形或多条沟渠。如申请专利范围第1项所述之重叠标记，其中该第一及该第二曝光步骤共同用以定义间距小于该二曝光步骤各自之解析度的多条平行导线，以及连接在该些导线末端的多个接触垫，其中该第一及该第二曝光步骤各自在其解析度允许的范围内定义部分导线与部分接触垫；每一个接触垫与一导线相连，且前者的宽度大于后者的宽度；并且分别与两相邻导线连接的两相邻接触垫在该些导线延伸方向上的位置错开，使得该两相邻接触垫不致重叠。一种检查对准度的方法，用以检查由第一与第二曝光步骤所定义的一下晶圆层与用以定义一上晶圆层之微影制程之间的对准度，包括：形成一重叠标记，其步骤包括：在定义该下晶圆层时，于该下晶圆层的一部分中形成由该第一曝光步骤定义的二第一X向及二第一Y向条状图形，以及由该第二曝光步骤定义的二第二X向及二第二Y向条状图形，其中该二第一X向与该二第一Y向条状图形定义出一第一矩形，且该二第二X向与该二第二Y向条状图形定义出一第二矩形，其X向尺寸D2X大于该第一矩形的X向尺寸D1X，但Y向尺寸D2Y小于该第一矩形的Y向尺寸D1Y；以及在进行该微影制程时，于该部分之该下晶圆层的上方形成一光阻图案，其被该些条状图形所围绕，而当该下晶圆层与该微影制程完全对准时，该二第一X向条状图形之中线与该二第一Y向条状图形之中线的交点、该二第二X向条状图形之中线与该二第二Y向条状图形之中线的交点，以及该光阻图案之中心点三者重合；以及决定该光阻图案相对于该下晶圆层之各该条状图形的多个位置参数，以估算该第一曝光步骤所定义之该下晶圆层的图案与该微影制程之间的X方向对准度与Y方向对准度，以及该第二曝光步骤所定义之该下晶圆层的图案与该微影制程之间的X方向对准度与Y方向对准度这四者中的至少一者。如申请专利范围第14项所述之检查对准度的方法，更包括决定该二第一X向条状图形相对于该二第二X向条状图形的一位置参数以及该二第一Y向条状图形相对于该二第二Y向条状图形的一位置参数，以估算该第一曝光步骤所定义之该下晶圆层的图案与该第二曝光步骤所定义之该下晶圆层的图案之间的X方向与Y方向对准度。如申请专利范围第14项所述之检查对准度的方法，其中D1X、D1Y、D2X、D2Y之间的关系为D1X=D2Y<D2X=D1Y。如申请专利范围第14项所述之检查对准度的方法，其中各第一X向条状图形的宽度与各第二X向条状图形不同，且各第一Y向条状图形的宽度与各第二Y向条状图形不同。如申请专利范围第14项所述之检查对准度的方法，其中该二第一X向与该二第一Y向条状图形两两相连，且该二第二X向与该二第二Y向条状图形两两相连。如申请专利范围第14项所述之检查对准度的方法，其中该二第一X向与该二第一Y向条状图形互不相连，且该二第二X向与该二第二Y向条状图形互不相连。如申请专利范围第14项所述之检查对准度的方法，其中该光阻图案包括一实心矩形光阻图形，且是决定该矩形光阻图形的四边相对于该部分之该下晶圆层的各该条状图形的多个位置参数。如申请专利范围第14项所述之检查对准度的方法，其中该光阻图案包括定义出一第三矩形的二X向及二Y向条状光阻图形，且是决定该二X向及该二Y向条状光阻图形相对于该部分之该下晶圆层的各该条状图形的多个位置参数。如申请专利范围第14项所述之检查对准度的方法，其中该些条状图形皆为线图形，或是形成在该部分之该下晶圆层中的沟渠。如申请专利范围第14项所述之检查对准度的方法，其中该第一与该第二曝光步骤属于同一道微影制程，而组成一双重曝光制程。如申请专利范围第14项所述之检查对准度的方法，其中该第一与该第二曝光步骤分别属于两道微影制程，而定义不同的光阻层。如申请专利范围第14项所述之检查对准度的方法，其中该第一曝光步骤与该第二曝光步骤二者中有一者使用X-偶极偏轴光源，另一者使用Y-偶极偏轴光源。如申请专利范围第14项所述之检查对准度的方法，其中该第一第二曝光步骤共同用以在该下晶圆层中定义出间距小于该二曝光步骤各自之解析度的多个图形。如申请专利范围第26项所述之检查对准度的方法，其中该些图形包括多条线图形或多条沟渠。如申请专利范围第14项所述之检查对准度的方法，其中该第一及该第二曝光步骤共同用以定义间距小于该二曝光步骤各自之解析度的多条平行导线，以及连接在该些导线末端的多个接触垫，其中该第一及该第二曝光步骤各自在其解析度允许的范围内定义部分导线与部分接触垫；每一个接触垫与一导线相连，且前者的宽度大于后者的宽度；并且分别与两相邻导线连接的两相邻接触垫在该些导线延伸方向上的位置错开，使得该两相邻接触垫不致重叠。 |
