| 主权项 |
一种画素结构，包括：至少二扫描线，系设置于一基板上；至少二资料线，系设置于该基板上，且其与该些扫描线相交，用以形成至少一区间；至少一薄膜电晶体，系设置于该区间内，且其电性连接于该些扫描线之其中之一及该些资料线之其中之一；至少一保护层，系设置于该基板上，并覆盖于该些扫描线、该些资料线及该薄膜电晶体，且该保护层具有至少一开口；至少一缺陷检测图案(defect detecting pattern)，系设置于该区间中，用以检测其下方是否残留有其它之电传导或半导体物质存在；以及至少一画素电极，系设置于该保护层上，且其透过该开口电性连接于该薄膜电晶体。如申请专利范围第1项所述之画素结构，其中，该薄膜电晶体具有一闸极、至少一绝缘层、一通道层、一源极以及一汲极，该闸极系电性连接于该些扫描线之其中之一，而该源极系电性连接于该些资料线之其中之一，且该汲极系电性连接于该画素电极。如申请专利范围第1项所述之画素结构，其中，该画素电极系部份覆盖该缺陷检测图案。如申请专利范围第1项所述之画素结构，其中，该画素电极系全部覆盖该缺陷检测图案。如申请专利范围第1项所述之画素结构，更包含至少二光遮蔽图案，系设置于该区间中。如申请专利范围第1项所述之画素结构，其中，该缺陷检测图案系为复数个孔洞，系位于该区间之角落处或区间中之其它位置。如申请专利范围第1项所述之画素结构，其中，该缺陷检测图案系为复数个孔洞，系环绕于该区间。如申请专利范围第1项所述之画素结构，其中，该缺陷检测图案系为至少二长条形沟槽，系平行于且邻近于该些扫描线之其中之一或平行于且邻近于该些资料线之其中之一。如申请专利范围第1项所述之画素结构，其中，该缺陷检测图案系为至少二长条形沟槽，该些长条形沟槽之其中之一系平行于且邻近于该些扫描线之其中之一，另一该些长条形沟槽系平行于且邻近于该些资料线之其中之一。如申请专利范围第5项所述之画素结构，其中，该缺陷检测图案系为复数个孔洞，系分别位于各该光遮蔽图案之二侧。如申请专利范围第1项所述之画素结构，其中，该缺陷检测图案系为至少一孔洞及至少一长条形沟槽，其中，该开口系位于该区间中之任何位置或位于该区间之角落处，该长条形沟槽系系平行于且邻近于该些扫描线之其中之一或平行于且邻近于该些资料线之其中之一。如申请专利范围第1项所述之画素结构，更包含，至少一共用线，系设置于各该扫描线之间。一种画素结构的检修方法，系用以对如申请专利范围第1项所述之画素结构加以检修测试其缺陷所在位置，包括：通入一电压于复数个画素结构中；量测该些画素结构，以获得该些画素结构之画素电极的电位值；比较该些画素结构之画素电极的电位值，以获得一电位值为异常之画素结构；以及判断该电位值为异常之画素结构系残留有一电传导物质。如申请专利范围第13项所述之检修方法，其中该些画素结构系电性连接于同一扫描线上。如申请专利范围第13项所述之检修方法，更包括以一显微镜观察该电位值为异常之画素结构，以确定该画素结构中残留物之正确位置。如申请专利范围第15项所述之检修方法，更包括以一雷射切除该电传导物质与其周围元件的电性连接，以使该量测点处的电位恢复正常。如申请专利范围第15项所述之检修方法，更包括以一雷射切除该电传导物质与其邻近之扫描线两者的电性连接。如申请专利范围第15项所述之检修方法，更包括以一雷射切除该电传导物质与其邻近之资料线两者的电性连接。一种画素结构之制造方法，包括：形成至少二扫描线，于一基板上；形成至少二资料线，于该基板上，且其与该些扫描线相交，用以形成至少一区间；形成至少一薄膜电晶体，于该区间内，且其电性连接于该些扫描线之其中之一及该些资料线之其中之一；形成至少一保护层，于该基板上，并覆盖于该些扫描线、该些资料线及该薄膜电晶体，且该保护层具有至少一开口；形成至少一缺陷检测图案(defect detecting pattern)，于该区间中，用以检测其下方是否残留有其它之电传导或半导体物质存在；以及形成至少一画素电极，于该保护层上，且其透过该开口电性连接于该薄膜电晶体。如申请专利范围第19项所述之制造方法，其中，该薄膜电晶体具有一闸极、至少一绝缘层、一通道层、一源极以及一汲极，该闸极系电性连接于该些扫描线之其中之一，而该源极系电性连接于该些资料线之其中之一，且该汲极系电性连接于该画素电极。如申请专利范围第19项所述之制造方法，其中，该画素电极系部份覆盖该缺陷检测图案。如申请专利范围第19项所述之制造方法，其中，该画素电极系全部覆盖该缺陷检测图案。如申请专利范围第19项所述之制造方法，更包含，形成至少二光遮蔽图案，于该区间中。如申请专利范围第19项所述之制造方法，其中，该缺陷检测图案系为复数个孔洞，系位于该区间之角落处或位于该区间之其它位置。如申请专利范围第19项所述之制造方法，其中，该缺陷检测图案系为复数个孔洞，系环绕于该区间。如申请专利范围第19项所述之制造方法，其中，该缺陷检测图案系为至少二长条形沟槽，系平行于且邻近于该些扫描线之其中之一或平行于且邻近于该些资料线之其中之一。如申请专利范围第19项所述之制造方法，其中，该缺陷检测图案系为至少二长条形沟槽，该些长条形沟槽之其中之一系平行于且邻近于该些扫描线之其中之一，另一该些长条形沟槽系平行于且邻近于该些资料线之其中之一。如申请专利范围第19项所述之制造方法，其中，该缺陷检测图案系为复数个孔洞，系分别位于各该光遮蔽图案之二侧。如申请专利范围第19项所述之制造方法，其中，该缺陷检测图案系为至少一孔洞及至少一长条形沟槽，其中，该开口系位于该区间中之任何位置或位于该区间之角落处，该长条形沟槽系系平行于且邻近于该些扫描线之其中之一或平行于且邻近于该些资料线之其中之一。如申请专利范围第19项所述之制造方法，更包含，形成至少一共用线，于各该扫描线之间。 |
