| 主权项 |
一种具有抗突波与静电之发光二极体，其包含有：一基板；一N型半导体层，设置于该基板上；一主动层，设置于部分该N型半导体层上；一P型半导体层，设置于该主动层上；一第一透明导电层，设置于部分该P型半导体层上；一绝缘层，自部分该N型半导体层上覆盖至部分该P型半导体层上；一氧化层，设置于部分该第一透明导电层与部分该P型半导体层上，并连接该绝缘层；一第二透明导电层，设置于该绝缘层上与部分该氧化层上；一正电极，设置于部分该第一透明导电层上；以及一负电极，设置于部分该N型半导体层上，并连接该第二透明导电层；其中，当该正电极与该负电极接收超过该发光发光二极体之操作电压之一第二偏压电压时，将驱使该第二偏压电压所衍生之突波电流从该正电极经该第一透明导电层、该氧化层与该第二透明导电层传导至该负电极或从该负电极经该第二透明导电层、该氧化层与该第一透明导电层传导至该正电极，以导出而消除突波与静电效应。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该正电极与该负电极一旦接收符合该发光发光二极体之操作电压之一第一偏压电压时，将驱使该第一偏压电压所衍生之一工作电流从该正电极经该第一透明导电层、该P型半导体层、该主动层与该N型半导体层传导至该负电极后导出。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该氧化层之材料为选自于二氧化矽、一氧化矽、四氮化矽、氮化物、非晶体半导体、非结晶体半导体、氧化锌、氧化镍、二氧化钛、氧化物、变阻材料、压电材料、铁电材料、陶瓷材料及上述之任意组合之其中之一。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该绝缘层之材料系选自于二氧化矽、一氧化矽、四氮化矽、氮化物、非晶体半导体及非结晶体半导体之其中之一。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该基板之材料为选自于Al203、SiC、GaAs、GaN、AlN、GaP、Si、ZnO及MnO、Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族、Ⅳ族、Ⅳ-Ⅳ族及上述之任意组合之其中之一。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该N型半导体层之材料为氮化镓系半导体可为选自于AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所构成材料群组中的一种材料。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该P型半导体层之材料为氮化镓系半导体可为选自于AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所构成材料群组中的一种材料。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该第一透明导电层之材料为选自于Ni/Au、氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡及透明导电黏剂所组成材料群组中的至少一种材料。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该第二透明导电层之材料为选自于Ni/Au、氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡及透明导电黏剂所组成材料群组中的至少一种材料。一种具有抗突波与静电之发光二极体制造方法，其包含有：提供一基板；形成一N型半导体层于该基板上；形成一主动层于部分该N型半导体层上；形成一P型半导体层于该主动层上；形成一第一透明导电层于部分该P型半导体层上；自部分该N型半导体层上形成一绝缘层至部分该P型半导体上；形成一氧化层于部分该第一透明导电层上与部分该P型半导体上，并连接该氧化层至该绝缘层；形成一第二透明导电层于部分该氧化层上与该绝缘层上；以及分别形成一正电极与一负电极于部分该第一透明导电层上与部分该N型半导体层上，并连接该负电极至该第二透明导电层。如申请专利范围第10项所述之发光二极体制造方法，其中于连接该氧化层至该绝缘层之步骤中，更包含覆盖该氧化层于部分该绝缘层上之步骤。如申请专利范围第10项所述之发光二极体制造方法，其中该绝缘层之材料系选自于二氧化矽、一氧化矽、四氮化矽、氮化物、非晶体半导体及非结晶体半导体之其中之一。如申请专利范围第10项所述之发光二极体制造方法，其中该氧化层之材料为选自于二氧化矽、一氧化矽、四氮化矽、氮化物、非晶体半导体、非结晶体半导体、氧化锌、氧化镍、二氧化钛、氧化物、变阻材料、压电材料、铁电材料、陶瓷材料及上述之任意组合之其中之一。如申请专利范围第10项所述之发光二极体制造方法，其中于分别形成一正电极与一负电极于该第一透明导电层上与该N型半导体层上之步骤中，更包含覆盖该负电极于该第二透明导电层上之步骤。如申请专利范围第10项所述之发光二极体制造方法，其中于形成一第一透明导电层于部分该P型半导体层上之步骤中，系采用化学气相磊晶法(Chemical Vapor Deposition，CVD)或有机金属化学气相磊晶法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)或离子增强化学气相磊晶法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)或溅镀法(Sputter)或电子枪蒸镀法(Electron Gun Evaporation)或热阻丝蒸镀法(Thermal Evaporation)。如申请专利范围第10项所述之发光二极体制造方法，其中于形成一氧化层于部分该第一透明导电层上与部分该P型半导体上之步骤中，系采用化学气相磊晶法(Chemical Vapor Deposition，CVD)或有机金属化学气相磊晶法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)或离子增强化学气相磊晶法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)或溅镀法(Sputter)或电子枪蒸镀法(Electron Gun Evaporation)或热阻丝蒸镀法(Thermal Evaporation)。如申请专利范围第10项所述之发光二极体制造方法，其中于形成一绝缘层于部分该N型半导体与部分该P型半导体上之步骤中，系采用化学气相磊晶法(Chemical Vapor Deposition，CVD)或有机金属化学气相磊晶法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)或离子增强化学气相磊晶法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)或溅镀法(Sputter)或电子枪蒸镀法(Electron Gun Evaporation)或热阻丝蒸镀法(Thermal Evaporation)。如申请专利范围第10项所述之发光二极体制造方法，其中于形成一第二透明导电层于部分该氧化层上与该绝缘层上之步骤中，系采用化学气相磊晶法(Chemical Vapor Deposition，CVD)或有机金属化学气相磊晶法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)或离子增强化学气相磊晶法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)或溅镀法(Sputter)或电子枪蒸镀法(Electron Gun Evaporation)或热阻丝蒸镀法(Thermal Evaporation)。 |
