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一种抛光基板上半导体材料层之方法，该方法包含：提供非平面性玻璃基板，玻璃基板具有第一侧边，以及一层半导体材料位于基板第一侧上；抛光半导体层以减小其厚度；与抛光同时进行量测整个玻璃基板第二侧半导体层之厚度于半导体层上多个位置处，及使用半导体厚度量测以改变抛光以产生均匀厚度之半导体层。依据申请专利范围第1项之方法，其中基板为非平面性的，其包含非均匀之厚度。依据申请专利范围第1项之方法，其中半导体层包含一种材料由Si,SiGe,SiC,Ge,GaAs,GaP,及InP选取出。依据申请专利范围第1项之方法，其中更进一步包含利用流体轴承支撑玻璃基板。依据申请专利范围第1项之方法，其中抛光包含在次孔径材料去除区域内移除半导体材料。依据申请专利范围第5项之方法，其中量测在材料去除区域内进行。依据申请专利范围第5项之方法，其中更进一步包含在材料去除区域与半导体层间之相对移动。依据申请专利范围第1项之方法，其中抛光包含半导体层与抛光构件间之接触。依据申请专利范围第1项之方法，其中抛光包含电浆辅助化学蚀刻。依据申请专利范围第1项之方法，其中基板具有表面积至少为0.25平方米。一种抛光黏附至玻璃基板半导体层之方法，该方法包含：提供非平面性玻璃基板，其具有第一侧边及第二侧边以及半导体层黏附至第一侧边，半导体层具有外露之表面积；抛光至少一个次孔径材料去除区域内之半导体层；形成至少一个材料去除区域与半导体层间之相对移动；以及与抛光同时地在次孔径材料去除区域中进行量测半导体层之厚度；以及使用量测之半导体厚度以改善抛光在外露表面积上产生均匀厚度之半导体层。依据申请专利范围第11项之方法，其中在整个基板第二侧进行量测。依据申请专利范围第12项之方法，其中在材料去除区域内进行量测。依据申请专利范围第11项之方法，其中由基板第一侧进行量测。依据申请专利范围第11项之方法，其中抛光包含使用一组多个次孔径材料去除区域。一种抛光黏附至玻璃基板半导体层之方法，其包含：提供玻璃基板，其具有第一侧边及第二侧边以及具有初始厚度之半导体层黏附至第一侧边；抛光次孔径材料去除区域内之半导体层；量测半导体层之中间厚度；使用半导体层量测厚度以改变抛光以产生均匀厚度之半导体层；以及其中玻璃基板第一侧表面波纹至少约大于黏附在其上面半导体初始厚度一个数量级。依据申请专利范围第16项之方法，其中量测与抛光同时地进行。依据申请专利范围第16项之方法，其中在整个第二侧进行量测半导体层。依据申请专利范围第16项之方法，其中更进一步包含一组多个次孔径材料去除区域。依据申请专利范围第19项之方法，其中在整个半导体层外露表面积进行量测半导体层。 |
