| 主权项 |
一种电晶体，包含：一半导体主体，具有相对侧面及一上表面，及一通道区域安置在一源极及一汲极区域之间，该半导体主体在该上表面与该等相对侧面间有圆角化转角，该等转角系被圆角化，使得在次临限闸极电压下，在通道区域中，没有超出30%的总电荷被安置在该等转角中，具有该通道区域的该半导体部份被掺杂至3×1018原子每立方公分或更少之位准；一高k闸极绝缘，安置在该通道区域上的主体上；及一金属闸极，安置在该闸极绝缘上。如申请专利范围第1项所述之电晶体，其中该半导体主体系形成在一单体单结晶基材上。如申请专利范围第1项所述之电晶体，其中该半导体主体系被形成在一埋入氧化物层上。一种将电晶体制造于半导体基材上的方法，该方法包含步骤：(a)形成一矽主体，具有上表面及相对侧面，藉以在该上表面与侧面间，界定转角区域；(b)在该主体上，成长一氧化物层；(c)湿式蚀刻该主体，藉以圆角化该等转角；及(d)如果该等转角区域的曲率半径并未被圆角化至4.0nm或更大且曲率半径小于10nm，则重覆步骤(b)及(c)。如申请专利范围第4项所述之方法，其中该主体包含矽。如申请专利范围第4项所述之方法，其中该在通道区域中之该主体的掺杂位准为3×1018原子每立方公分或更少。如申请专利范围第6项所述之方法，包含在该通道区域上，形成高k绝缘层。如申请专利范围第7项所述之方法，包含在该绝缘层上，形成一金属闸极。如申请专利范围第4项所述之方法，包含在该主体中之通道区域上，形成一高k绝缘层。如申请专利范围第9项所述之方法，包含在该绝缘层上，形成一金属闸极。 |
