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发明名称
MANUFACTURING METHOD OF GERMANIUM ON INSULATOR STRUCTURE, GERMANIUM ON INSULATOR STRUCTURE BY THE METHOD, AND TRANSISTOR USING THE GERMANIUM ON INSULATOR STRUCTURE
摘要
申请公布号
KR100991213(B1)
申请公布日期
2010.11.01
申请号
KR20090015378
申请日期
2009.02.24
申请人
发明人
分类号
H01L27/12
主分类号
H01L27/12
代理机构
代理人
主权项
地址
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