| 摘要 |
Настоящее изобретение относится к полупроводниковой полимерной композиции, содержащей (а) от 30 до 90 мас.% полимерного компонента, (b) от 10 до 60 мас.% сажи и (с) от 0 до 8 мас.% добавок, при расчете на массу совокупной полупроводниковой полимерной композиции, и где композиция содержит согласно измерению в соответствии с методом анализа гладкости поверхности (АГП) при использовании ленточного образца, состоящего из упомянутой полупроводниковой полимерной композиции, как это определено в ″Способах определения″, менее чем 23 частицы на один м |
