发明名称 TERMINATION STRUCTURE
摘要 A power semiconductor device having a termination structure that includes a polysilicon field plate, a metallic field plate, and a polysilicon equipotential ring.
申请公布号 KR100990502(B1) 申请公布日期 2010.10.29
申请号 KR20087006620 申请日期 2006.09.15
申请人 发明人
分类号 H01L23/58 主分类号 H01L23/58
代理机构 代理人
主权项
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