Verfahren zur Herstellung des Transistors mit eingebetteter Schicht mit Zugverformung mit geringem Abstand zu der Gateelektrode,申请号DE200610019921-传众专利搜索

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发明名称	Verfahren zur Herstellung des Transistors mit eingebetteter Schicht mit Zugverformung mit geringem Abstand zu der Gateelektrode
摘要
申请公布号	DE102006019921(B4)	申请公布日期	2010.10.28
申请号	DE200610019921	申请日期	2006.04.28
申请人	ADVANCED MICRO DEVICES INC.	发明人	WEI, ANDY;KAMMLER, THORSTEN;HOENTSCHEL, JAN;HORSTMANN, MANFRED
分类号	H01L21/336;H01L21/8234	主分类号	H01L21/336
代理机构		代理人
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