| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines Transistors mit einem Silizium-Germanium-Gatter |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE69841896(D1) |
申请公布日期 |
2010.10.28 |
| 申请号 |
DE19986041896 |
申请日期 |
1998.06.12 |
| 申请人 |
FAHRENHEIT THERMOSCOPE LLC |
发明人 |
SAGNES, ISABELLE |
| 分类号 |
C23C16/22;H01L21/28;H01L21/3213;H01L29/49;H01L29/78 |
主分类号 |
C23C16/22 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
