一种大功率高电流密度整流二极管芯片及其制造方法

摘要

本发明涉及一种大功率高电流密度整流二极管芯片及其制造方法，属于半导体器件制造技术领域。本发明的芯片由硼区、N型区和浓磷区组成，硼区的厚度为50-60μm，浓磷区的厚度为10-12μm，芯片总厚度为180-200μm。其制造方法，首先采用乳胶磷源扩散方法在N型硅片的两个表面扩散磷，使每个浓磷区厚度为10-12μm，然后将两个浓磷区中的一个磨去，在磨去了浓磷区的表面扩散硼，使硼区的厚度为50-60μm。本发明方法制备的芯片，浓度分布可以阻挡空间电荷区的扩展，减薄N区厚度，降低了管压降，并且减小硅片厚度，大大提高电流密度(高达500A/cm2)从而节省了原材料、减少了二极管在使用中所占的空间。

主权项

一种大功率高电流密度整流二极管芯片，其特征在于该芯片由硼区、N型区和浓磷区组成，所述的硼区、N型区和浓磷区依次排列，其中所述的硼区的厚度为50-60μm，所述的浓磷区的厚度为10-12μm，芯片总厚度为180-200μm。