等离子体成膜方法以及等离子体CVD装置

摘要

在利用电容耦合型等离子体CVD装置的成膜过程中，藉由对低频RF电源进行脉冲控制而在产生电弧放电之前周期性地抑制高温电子的密度，藉此，可抑制电弧放电的产生。脉冲控制中，将实施电力供给的接通时间与停止电力供给的断开时间作为一个期间，以周期性地反复实施电力供给。脉冲控制中，将停止电力供给之后的等离子体中的电子密度的下降过程中、电子密度自停止电力供给起直至达到产生电弧放电的残留等离子体临限值为止的时间，与停止电力供给之后的等离子体中的高温电子的密度下降过程中、自停止电力供给起直至达到特定的等离子体状态为止的时间之间的时间间隔，作为停止电力供给的断开时间，并将开始电力供给之后等离子体中的高温电子密度的上升过程中的饱和时间作为电力供给的接通时间的上限，在上述条件下间断地供给电力。

主权项

一种等离子体成膜方法，其是利用电容耦合型等离子体CVD装置的成膜方法，此等离子体成膜方法的特征在于：藉由脉冲控制，对上述电容耦合型等离子体CVD装置所具备的电极间断地供给电力，上述脉冲控制中，将停止电力供给之后等离子体中的电子温度的下降过程中、自停止电力供给起至高温电子的密度下降直至达到不产生电弧放电的等离子体状态所需要的时间作为下限时间，将电子密度自停止电力供给起直至达到难以维持等离子体的残留等离子体临限值为止的时间作为上限时间，将上述下限时间与上述上限时间的时间间隔作为停止电力供给的断开时间，将在开始电力供给之后的等离子体中的电子温度的上升过程中、高温电子的密度达到饱和的时间作为电力供给的接通时间的上限，在上述条件下间断地供给电力，藉此来抑制电弧放电的产生。